本发明涉及功能陶瓷制备方法。现有镧钙锰氧陶瓷制备周期长， 烧结过程易引入杂质造成污染。本发明步骤：1)将氧化镧、碳酸钙、 二氧化锰按La_1-xCa_xMnO₃称量，x＝0.3-0.4；2)球磨6-10小时；3)烘 干；4)过180目筛；5)预烧：以300℃/小时的速度升到1000℃保温 8-15小时后随炉冷却；6)加PVA胶体造粒；7)150-200MPa下压结成 片；8)烧结：以150℃/小时的速度升温到600℃保温2小时，再以 100℃/小时的速度升温到1100℃，保温10-20小时后冷却；9)激光辐 照：工作台旋转速度10°-30°/s，先用60-120秒将功率升高到10W， 再用90-180秒将激光功率逐渐调节到50W，经过300-420秒辐照后用 100-150秒降至零，放置冷却。本发明缩短了制备周期，避免了多次 烧结带来的不必要污染；电阻温度系数达8-10％K^-1；激光烧结操作简 单，可控性强，重复性高。
资[HT22853-0006-0004] 低温烧结五元系铌镁锰锑锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备方法
[摘要] 本发明提出一种CdO、SiO₂组合低熔点添加剂，应用到五元系压电陶瓷材料 中，极大的降低烧结温度，达到最大限度减少PbO的挥发，减轻环境污染的目 的，配方为Pb(Mg_1/3Nb_2/3)_a(Mn_1/3Nb_2/3)_b(Mn_1/3Sb_2/3)_cZr_dTi_eO₃+0.6wt％CdO+0.1wt％SiO₂ 其中，0≤c≤0.1，0.08≤a+b≤0.14，076≤d+e≤0.92，a+b+c+d+e+＝1， 0.3≤f≤2，0≤g≤0.3 烧结温度为900℃左右，压电介电性能优良，工艺稳定。可采用传统工业用原材 料和压电陶瓷制备技术制备，适用于规模生产。
料[HT22853-0003-0005] 掺杂铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料及其制备工艺
[摘要] 本发明以铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷为基体，以SrCO₃置换部分PbO和添加MnCO₃，经过混料、球磨、预烧、加压成型、烧结等工艺步骤，获得了能在中、低温烧结的，且能维持高机电耦合系数、高机械品质因子的掺杂铌锰酸铅-锆钛酸铅压电陶瓷材料，属于压电材料领域。该材料具有中、低温烧结密度高、烧结温度范围宽、机械性能高等优点，适于多层、大功率压电器件的应用。
来[HT22853-0001-0006] 钛铁矿钛酸锰陶瓷粉末的制备方法
[摘要] 钛铁矿钛酸锰陶瓷粉末的制备方法属于光吸收材料领域。现有技术中合成需要一个高温处理的过程，并且很难获得纯相的钛酸锰。本发明的方法先将醋酸锰溶解于乙醇中，再将与醋酸锰等物质的量的钛酸四丁酯溶于乙酰丙酮中，然后将两种溶液混合并搅拌均匀，制成溶胶；将上述溶胶烘干，获得凝胶粉；将上述凝胶粉加入到1~5M氢氧化钠的水溶液中，搅拌后，装入密闭的反应釜中；在上述密闭的反应釜中120~200℃下晶化12~24h；晶化后经抽滤，用去离子水洗涤，干燥，即得钛铁矿钛酸锰陶瓷粉末。本发明综合利用溶胶-凝胶与水热两种方法的优势，提供一种能耗小、具有纯相的钛铁矿结构、均一粒径的钛铁矿钛酸锰陶瓷粉末的制备方法。
源[HT22853-0007-0007] 锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法
[摘要] 本发明公开了一种锰酸镧系负温度系数半导体陶瓷及其制备方法，其组分和含量为 LaMnO₃基础上添加10-70mol％TiO₂，同时添加0-60mol％的Cu、Ba、Cr、Sr和Y元素之一。 制备步骤包括(1)配料，(2)造粒，(3)成型，(4)烧成，(5)电极制备。本发明克服了 NTCR陶瓷材料室温电阻较大的缺点，提供了一种具有良好的导电性能和高温稳定性、实现了 室温电阻率为182Ω.cm，而温度系数B值为3268K的锰酸镧为基的钙钛矿型NTCR半导体陶瓷。 本发明在温度测量、抑制浪涌电流和温度补偿方面得到广泛应用。
：[HT22853-K0001-0008] Pr6O11掺杂锑锰锆钛酸铅压电陶瓷的温度稳定性-----[来源：硅酸盐学报 日期：2006年9期] [摘要] 探讨了Pr6O11掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3（lead antimony-manganese zirconate titanate,PMSZT）压电陶瓷温度稳定性的影响.测定和分析了样品的谐振频率fr,弹性柔顺系数S11E,相对介电常数εr,横向机电耦合系数K31,压电系数d31在-20～80℃之间随温度的变化.结果表明：与未掺杂的样品相比,掺杂适量Pr6O11的PMSZT陶瓷具有较低的Curie温度,而且体系的压电系数d31的温度稳定性较好,同时机电耦合系数K31的温度稳定性也得到了改善.当掺杂Pr6O11的质量分数为0.05%时,能得到机电性能优良的压电陶瓷,εr=1 650,tan δ=0.006,d33=350 pC/N,平面机电耦合系数Kp=0.67,机械品质因数Qm=2 000.
  [HT22853-K0008-0009] 掺锰钛酸钡PTC陶瓷复合材料介电特性的研究-----[来源：功能材料 日期：1999年5期] [摘要] 应用标准的陶瓷制备工艺制备掺锰钛酸钡ＰＴＣ陶瓷复合材料，在不同电场频率下测试样品的相对介电常数－温度特性，发现当温度高于居里点后，开始不同掺锰浓度样品的相对介电常数随温升级慢变化，到达某特殊温度时，出现异常跃升；异常跃升的起始温度依赖于掺杂浓度和测试电场频率，其峰值随测试电场频率的降低而增大。通过分析相关的物理过程应用离子极化理论对测试结果进行讨论。
宏[HT22853-K0002-0010] 不同氧化锰引入形式对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响-----[来源：陶瓷工程 日期：2000年4期] [摘要] 研究了不同氧化锰引入形式对Ｐｂ（Ｓｈ１／５Ｎｂ１／２）Ｏ３－Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ｐｓｎｚｔ）压电陶瓷机电性能的影响。结果有明，以ＭｎＯ２引入氧化锰的受主作用比ＭｎＣＯ３引入的要大。
图[HT22853-K0031-0011] 锰掺杂对压电陶瓷介电性能的影响-----[来源：陶瓷学报 日期：2002年4期]
技[HT22853-K0037-0012] 铌锰锆钛酸铅铁电陶瓷电滞回线的温度和频率响应-----[来源：物理学报 日期：2005年2期]
术[HT22853-K0009-0013] 掺杂有锰、钨和钼的介电陶瓷粉末、制造其的方法及含有其的电容器-----[来源：中国钼业 日期：2007年6期]
信[HT22853-K0016-0014] 火焰原子吸收法测定Si3N4陶瓷材料中的钙镁铁锰-----[来源：兵器材料科学与工程 日期：1996年2期]
息[HT22853-K0006-0015] 掺锰PNW-PT陶瓷的制备及介电性能研究-----[来源：压电与声光 日期：2007年4期]
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