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[HT22835-0081-0001] 单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器 [摘要] 一种微机械加工的电容式压力传感器,其结构主要包括:单晶硅衬底;处
于单晶硅衬底表面,起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层;处于单晶硅衬底
边缘表面的外延单晶硅框架;覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜;由外延单
晶硅框架支持,起电容器固定电极作用的外延单晶硅层;由外延单晶硅框架所围
绕,处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形
成,多孔硅上外延生长,以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅
结构,器件性能可以得到很大改进,制造成本也能大幅度降低。
[HT22835-0189-0002] 含由导电极和托盘形导电层构成的电容电极的半导体器件 [摘要] 本发明公开用于DRAM存贮器中的含电容器的半导体器件及其制作方法,该电容器包括其间插入电容器介质薄膜的第一和第二电容器电极,其第一电容器电极包括导体电极(53)和盘形导体层(57),导体层(57)被导体电极托架并包括垂直于电极轴延伸的、且有平台周缘的平台部分以及平行于电极轴自平台周缘向电极端头延伸的周缘部分(59)。
[HT22835-0013-0003] 电容器及其制造方法和包括电容器的存储器件 |