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蚀刻,蚀刻方法,蚀刻装置,蚀刻平面化类技术资料

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  [HT709-0205-0001] 陶瓷遮罩在IC制备过程的应用
[摘要] 本发明提供一种陶瓷遮罩在IC制备过程的应用,选定一陶瓷材质所制的遮罩板,该遮罩板经光阻、曝光后以形成一个样式图形后,再使用干蚀刻或湿蚀刻将陶瓷遮罩板上的图形吃出,而后将该遮罩板放置于晶圆上,即开始对晶圆进行蚀刻、长膜和离子植入等相关制备过程,直到制备过程结束将晶圆取出。
  [HT709-0162-0002] 复合高密度构装基板与其形成方法
[摘要] 本发明涉及一种复合高密度内联线构装基板(Hybrid High DensityInterconnect Substrate)与其形成方法,此复合多层内联线基板由将一载台基板(Carrier Substrate)与一形成于一操作基板(Handle Substrate)上的多层内联线结构(Multi-level Interconnect Structure)结合而形成,此多层内联线结构利用集成电路的沉积、微影与蚀刻制程形成。
  [HT709-0039-0003] 制作悬式微结构的方法

在粘合基片上制作无穿孔悬式平面的方法,包括在底部基片支承面上形成电介质层,随后对电介质层连接面构图以确定凹下部分的特征。该特征被蚀刻直到凹下部分被形成,凹下部分具有深度Dw,它留下覆盖支承面电介质层的薄保护层。然后平台基片与底部基片接触,随后将这些基片退火以使连接面与平台基片安装面熔融粘合。平台基片被削磨以形成在被封闭空腔上的隔膜。隔膜被构图并蚀刻以形成许多贯穿隔膜到该空腔的沟槽且确定悬式平台及挠曲。只有确定悬式平台及挠曲所需的那部分平台基片被构图并蚀刻以致悬式平台无孔眼。因此悬式平台表面积最大。选择性蚀刻材料用于从悬式平台及挠曲下方去除留下的电介质层,使悬式平台和挠曲分离。
  [HT709-0199-0004] 薄膜晶体管液晶显示器的制作方法
[摘要] 一种TFT-LCD的制作方法,于基板表面上形成栅极电极与扫描线,栅极电极形成于晶体管区内,扫描线会通过交错区。形成第一、第二绝缘层以及半导体层,形成位于栅极电极上方的蚀刻停止层。形成掺杂硅导电层,去除晶体管区以外及交错区以外的掺杂硅导电层、半导体层与第二绝缘层。形成透明导电层图案,形成辅助信号线以及像素电极,该辅助信号线会通过交错区。形成第二金属层覆盖该晶体管区,且于辅助信号线表面形成主信号线。在蚀刻停止层上方的第二金属层形成一开口,使蚀刻停止层暴露出来。
  [HT709-0027-0005] 采用湿蚀刻的电子部件的制造方法
[摘要] 本发明提供一种制造方法,在通过湿蚀刻由导电性无机物层-绝缘层-导电性无机物层构成的叠层体或导电性无机物层-绝缘层构成的叠层体的绝缘层来制造电子部件时,成本低,无须使用废弃处理中存在问题的有机溶剂,来制造电子部件。涉及一种电子部件的制造方法,通过湿蚀刻由导电性无机物层-绝缘层-导电性无机物层构成的叠层体或导电性无机物层-绝缘层构成的叠层体来进行导电性无机物层的布图,之后通过湿蚀刻来进行绝缘层的布图。该叠层体中的绝缘层可进行湿蚀刻,为单层结构或两层以上的绝缘单元层的叠层结构,包括使用感光胶膜通过该湿蚀刻来进行绝缘层的布图。
  [HT709-0122-0006] 电元件的封装和制造方法
[摘要] 本发明涉及敏感的元件结构(2)的封装,这类元件结构用一个由光敏反应树脂制成的框架结构(6)包封,并在敷设一层辅助薄膜(7)后,该反应树脂用另一层刻蚀的反应树脂层(8)覆盖。例如通过蚀刻印制或光刻可在框架结构(6)上制出匹配的顶盖结构(10)。外露的辅助薄膜(7)的残余部分被溶解掉或腐蚀掉。
  [HT709-0086-0007] 改善多孔性低介电薄膜吸水性的方法
[摘要] 一种改善在内连接线结构中多孔性低介电薄膜吸水性的方法,该方法包括:提供具有导体区的一底材,一蚀刻终止层在底材上;接着,一多孔性低介电材料薄膜如,多孔性氢化硅倍半氧烷(HSQ)(porous hydrosilsesquioxane)或是多孔性甲基硅倍半氧烷(MSQ)(methyl silsesquioxane)以旋涂的方式涂布在蚀刻终止层上;在经过等离子体步骤或是化学机械研磨制程之后,多孔性低介电薄膜具有多个具有吸水特性的悬键(dangling bond)。接着,将整个试片置放在具有疏水性反应溶液的辅助仪器进行反应,使得在多孔性低介电薄膜的表面以及侧壁上形成疏水性保护膜以改善多孔性低介电薄膜的吸水性以及降低在后续制程中漏电流的问题。
  [HT709-0077-0008] 电路装置的制造方法
[摘要] 本发明提供一种电路装置的制造方法,使用通过绝缘树脂(2)使第一导电膜(3)和第二导电膜(4)贴合的绝缘树脂片,用第一导电膜(3)形成第一导电配线层(5),用第二导电膜(4)形成第二导电配线层(6),使两者用多层连接手段(12)连接。将半导体元件(7)固定在覆盖第一导电配线层(5)的涂层树脂(8)上,借此用第一导电配线层(5)和第二导电配线层(6)实现多层配线构造,并且由于使形成厚的第二导电膜(4)在模塑后通过蚀刻减薄,而使第二导电配线层(6)也微细图形化。本发明解决了在制造工序中的绝缘树脂片的翘起严重的问题。
  [HT709-0084-0009] 灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法
[摘要] 本发明提供了一种灰化装置,一种灰化方法,和一种用于制造半导体器件的方法,该装置和方法能够减少残留在被处理体上的异物。该用于制造半导体器件的方法包括以下步骤:在底膜1上形成氮化钛膜2;在氮化钛膜2上涂敷光致抗蚀膜,将该光致抗蚀膜曝光、显影;使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻加工装置,以光致抗蚀膜4a为掩膜,对氮化钛膜2进行蚀刻;将氧气及氮气的混合气体导入光致抗蚀膜附近,并将该气体进行等离子化处理,从而对光致抗蚀膜进行灰化;将水蒸汽导入氮化钛膜附近,并将该气体进行等离子化处理,从而对氮化钛膜上的异物进行灰化。
  [HT709-0015-0010] 基因载体的制造方法及利用该基因载体的测试方法
[摘要] 一种基因载体的制造方法及利用该基因载体的测试方法,利用积体电路制程所用的光罩上曝光制造多数重覆的条码,于基板上蚀刻出条码列,并电铸翻模成镍板模,将基因载体材料的球体置于二镍板间压制条纹在载体材料成型面上,完成有条码的微小饼形基因载子粒,最后将具基因条码的载子粒和其所对应的基因混合并结合在一起,以制成各种不同带有记号的基因载体;基因测试方法是利用多数种上述基因载体,与有染荧光的待测基因结合,以影像辨识技术辨别发光载体上的条码,得知待测基因属于何种已知基因,相当方便快速且具有自行调配的弹性。
  [HT709-0099-0011] 金属薄膜干蚀刻的后处理方法及蚀刻与去光阻的整合系统
  [HT709-0090-0012] 平面显示器制造方法
  [HT709-0053-0013] 浅沟渠隔离结构的制造方法
  [HT709-0006-0014] 分离栅极式闪存的制造方法
  [HT709-0050-0015] 在双重镶嵌方法中的低介电常数的阻蚀刻层
  [HT709-0013-0016] 沉积的薄膜空隙-柱网络材料

  [HT709-0158-0017] 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
  [HT709-0124-0018] 光学模件及其制造方法
  [HT709-0128-0019] 一种强化低介电常数材料层抵抗光阻去除液损害的方法
  [HT709-0009-0020] 快闪参考存储单元的制造方法
  [HT709-0080-0021] 镶嵌式内连线结构的制造方法
  [HT709-0166-0022] 柔性模具及其制造方法
  [HT709-0076-0023] 电路装置的制造方法
  [HT709-0132-0024] 半导体装置的制造方法及根据此方法制造的半导体装置
  [HT709-0129-0025] 用于离子植入制程的光阻层的去除方法
  [HT709-0119-0026] 电触点的制造方法
  [HT709-0138-0027] 一种电容下层储存电极的制作方法
  [HT709-0188-0028] 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
  [HT709-0155-0029] 利用离心力干燥晶片的防吸附方法和设备
  [HT709-0044-0030] 用于快擦写内存源极/漏极的固态源掺杂
  [HT709-0007-0031] 自我对准分离式栅极非挥发性存储单元及其制造方法
  [HT709-0173-0032] 半导体装置及其制造方法
  [HT709-0150-0033] 利用实心铜柱互连导通的印刷电路板的制作方法
  [HT709-0074-0034] 微隅角棱镜阵列、制造它的方法以及反射型显示装置
  [HT709-0088-0035] 基板处理方法及装置
  [HT709-0171-0036] 抗蚀剂和蚀刻副产品除去组合物及使用该组合物除去抗蚀剂的方法

  [HT709-0071-0037] 高分辨率焊接凸块形成方法
  [HT709-0095-0038] 形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
  [HT709-0149-0039] 用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
  [HT709-0136-0040] 用于聚合物防反射涂料的非芳族发色团
  [HT709-0062-0041] 使用晶体振子的荷重传感器
  [HT709-0118-0042] 肖特基势垒二极管及其制造方法
  [HT709-0012-0043] 带凹槽栅极的晶体管
  [HT709-0101-0044] MOS晶体管及其制造方法
  [HT709-0209-0045] 半导体装置的制造方法
  [HT709-0033-0046] 分离式栅极结构的电可擦可编程只读存储器的制造方法
  [HT709-0083-0047] 在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法
  [HT709-0197-0048] 制作集成光路的方法
  [HT709-0064-0049] 基板处理装置
  [HT709-0193-0050] 掩模图形制成方法及半导体装置的制造方法
  [HT709-0079-0051] 消除浅沟槽隔离区的漏电流的方法
  [HT709-0154-0052] 一种主动光学接近修正法
  [HT709-0045-0053] 利用绝缘衬垫防止窄器件中的阈值电压的滚降
  [HT709-0157-0054] 等离子体蚀刻气体
  [HT709-0200-0055] 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
  [HT709-0072-0056] 高分辨率焊接凸块形成方法

  [HT709-0151-0057] 蚀刻方法
  [HT709-0082-0058] 铟锡氧化膜的制造方法
  [HT709-0177-0059] GaP系半导体发光组件
  [HT709-0109-0060] 肖特基势垒二极管的制造方法
  [HT709-0152-0061] 磁致电阻效应元件的制造方法和磁致电阻效应型磁头的制造方法
  [HT709-0178-0062] 印刷电路板的微孔制作方法
  [HT709-0161-0063] 薄膜晶体管平面显示器的制造方法
  [HT709-0207-0064] 形成金属硅化物的方法
  [HT709-0058-0065] 电路板及其制作方法和高输出模块
  [HT709-0169-0066] 含由苯醌-环戊二烯加成物衍生的官能团的树脂化合物及含此化合物的光阻剂组成...
  [HT709-0196-0067] 清洗和调理等离子体反应腔体的方法
  [HT709-0203-0068] 用电脑刻绘光固化技术蚀刻贝壳海螺的方法
  [HT709-0029-0069] 接触垫的制作方法
  [HT709-0123-0070] 液体喷出头的制造方法、液体喷出头用基板及基板的加工方法
  [HT709-0104-0071] 硅双极晶体管的制造方法
  [HT709-0017-0072] 含镍三氯化铁蚀刻废液的除镍方法
  [HT709-0023-0073] 蚀刻方法与蚀刻装置
  [HT709-0148-0074] 相位光栅图像传感器的制造方法
  [HT709-0181-0075] 压电式喷墨打印头及其制造方法
  [HT709-0185-0076] 半导体器件及其制造方法

  [HT709-0008-0077] 一种叠层栅快闪存储单元及其制造方法
  [HT709-0175-0078] 肖特基势垒二极管及其制造方法
  [HT709-0092-0079] 射线变焦镜头
  [HT709-0067-0080] 具有金属间隙壁的内连导线结构及其制作方法
  [HT709-0069-0081] 电子装置及其制造方法
  [HT709-0061-0082] 发光二极管的封装
[HT709-0091-0083] 湿法蚀刻剂组合物
[HT709-0028-0084] 下埋式微细金属连线的制造方法
[HT709-0051-0085] 导光板及其模仁的制造方法
[HT709-0140-0086] 从通孔中除去污斑的方法
[HT709-0208-0087] 脱氧核醣核酸逻辑集成电路的制造方法
  [HT709-0107-0088] 具立体花纹模具的制法
[HT709-0105-0089] 制造有机发光装置的方法
[HT709-0168-0090] 一种金属表面制作彩色图片的方法
[HT709-0125-0091] 具有埋置式结构的基片、包括该基片的显示器件、制造该基片的方法和制造显示器...
[HT709-0135-0092] 半导体激光元件
[HT709-0103-0093] 利用磁组件蚀刻薄荫罩的方法
[HT709-0204-0094] 用电脑刻绘光固化技术蚀刻玻璃的方法
[HT709-0111-0095] 利用有机材质形成金属硅化物保护电路的方法
  [HT709-0024-0096] 半导体装置及其制备方法

W [HT709-0019-0097] 主载体的清洁方法
W [HT709-0153-0098] 薄膜晶体管液晶显示器及其制造方法
W [HT709-0108-0099] 可去除蚀刻制程后的残留聚合物及降低氧化物损失的方法
. [HT709-0190-0100] 无残留物双层微影方法
H [HT709-0146-0101] 增加低介电层涂布能力的方法
O [HT709-0198-0102] 粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
N [HT709-0041-0103] 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
G [HT709-0081-0104] 在有纤基板上形成高密度超细线路的方法
T [HT709-0020-0105] 高分子基电路保护装置及其制法
U [HT709-0018-0106] 基于多个子光栅的平顶型蚀刻衍射光栅波分复用器件
1 [HT709-0176-0107] 肖特基势垒二极管及其制造方法
6 [HT709-0179-0108] 细微构造体的精密加工方法
3 [HT709-0066-0109] 防止介层窗过度蚀刻的方法及其构造
. [HT709-0110-0110] 检测接触窗蚀刻结果的方法
C [HT709-0160-0111] 一种修复低介电常数材料层的方法
O [HT709-0056-0112] 抑制存储器阵列位线间漏电的方法
M [HT709-0139-0113] 局部形成硅化金属层的方法
  [HT709-0052-0114] 覆晶接合结构与形成方法
[HT709-0156-0115] 应用于约束等离子体反应室的半导体双镶嵌蚀刻制作过程
[HT709-0021-0116] 清洗半导体晶片的方法及其所采用的清洗系统

[HT709-0060-0117] 制作滤光片的方法
[HT709-0022-0118] 半导体装置的制造方法
[HT709-0010-0119] 凹陷型堆栈电容与其接触插塞及其制造方法
0 [HT709-0194-0120] 一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法
7 [HT709-0055-0121] 嵌入式存储器的接触插塞的制作方法
5 [HT709-0043-0122] 具有减轻的击穿现象的沟道型双扩散金属氧化物半导体晶体管
5 [HT709-0137-0123] 压电式喷墨头的喷墨装置及其制造方法
| [HT709-0073-0124] 刀模的制造方法
2 [HT709-0116-0125] 避免于内存组件形成多晶硅纵梁的方法
8 [HT709-0141-0126] 一种制作铁电性存取存储器的电容器的方法
5 [HT709-0121-0127] 应用多束激光束的工件加工方法
2 [HT709-0174-0128] 肖特基势垒二极管及其制造方法
6 [HT709-0032-0129] 单一晶体非挥发性记忆体元件的制法
1 [HT709-0036-0130] 磁性元件的制造方法
5 [HT709-0117-0131] 肖特基势垒二极管及其制造方法
3 [HT709-0127-0132] 用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法
  [HT709-0170-0133] 光刻胶组合物
  [HT709-0047-0134] 附载箔的复合铜箔、带电阻电路的印刷电路板的制造方法、和带电阻电路的印刷电...
  [HT709-0187-0135] 印刷电路板的防焊方法
  [HT709-0093-0136] 半导体器件制造方法及处理液

  [HT709-0159-0137] 利用等离子体约束装置的等离子体蚀刻装置
  [HT709-0070-0138] 用于宽间隙基片接合的多层集成电路
  [HT709-0201-0139] 涂层的处理方法及利用该方法制造半导体器件的方法
  [HT709-0057-0140] 电路板及其制作方法和高输出模块
  [HT709-0097-0141] 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
  [HT709-0048-0142] 非铁金属/铁磁金属叠层的图版工艺印模及其制造方法
  [HT709-0186-0143] 防止金属导线间短路的方法
  [HT709-0165-0144] 转接通道
  [HT709-0167-0145] 叠层衬底、电子部件的制造方法及叠层电子部件
  [HT709-0147-0146] 一种无突出物形成的双镶嵌制程的湿式清洗方法
  [HT709-0183-0147] 绝缘用树脂组合物及使用该组合物的层合体
  [HT709-0112-0148] 形成金属-绝缘层-金属电容器的方法
  [HT709-0085-0149] 避免低介电常数介电层劣化的方法
  [HT709-0113-0150] 浅槽隔离结构的形成方法
  [HT709-0030-0151] 形成半导体金属内连线的方法
  [HT709-0133-0152] 具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法
  [HT709-0068-0153] 具有双层介电质间隙壁的内连导线结构及其制作方法
  [HT709-0142-0154] 具有电容器的双镶嵌构造及其制造方法
  [HT709-0163-0155] 应用硅过饱和氧化层的双镶嵌制程及其构造
  [HT709-0180-0156] 具有金属-绝缘体-金属电容器的集成元件

  [HT709-0126-0157] 整合高压元件制程的形成高阻值电阻的方法
  [HT709-0025-0158] 浅凹槽隔离结构的制造方法
  [HT709-0134-0159] 具尖角的非挥发性记忆体的制造方法
  [HT709-0042-0160] 无线移动通讯终端机透明天线及其制作方法
  [HT709-0210-0161] 半导体装置的制造方法及半导体装置
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  [HT709-0120-0163] 电触点的制造方法
  [HT709-0005-0164] 双重金属镶嵌结构的制造方法
  [HT709-0189-0165] 压电式喷墨晶片的成型方法
  [HT709-0130-0166] 在镶嵌制程中形成金属电容器的方法
  [HT709-0206-0167] 金属遮罩在IC制备过程的应用
  [HT709-0031-0168] 形成非挥发性记忆体的方法
  [HT709-0172-0169] 制造半导体器件的方法
  [HT709-0164-0170] 在镶嵌制程中形成金属电容器的方法及其产品
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  [HT709-0046-0172] 电子器件制造
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  [HT709-0038-0174] 喷墨头芯片制造方法
  [HT709-0087-0175] 利用一非对称光限制孔控制偏振的VCSELS
  [HT709-0143-0176] 一种浅沟槽的形成方法

  [HT709-0063-0177] 液晶显示器面板的制造方法
  [HT709-0131-0178] 利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品
  [HT709-0002-0179] 高高宽比开口的蚀刻方法
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  [HT709-0100-0181] 蚀刻法及蚀刻液
  [HT709-0054-0182] 浅沟渠隔离结构的制造方法
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