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蚀刻,蚀刻方法,蚀刻过程,损蚀刻类技术资料

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  [HT708-0119-0001] 在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
[摘要] 提出一种用于形成晶体管栅极结构(41,42)的方法。形成栅极氧化物层。在栅极氧化物层(41)上淀积栅极材料(42)。在栅极材料(42)上淀积氧氮化硅层(43)。蚀刻氧氮化硅层(43)、栅极材料(42)以及栅极氧化物层(41)以形成栅极结构(41,42)。在栅极结构(41,42)的顶部留有氧氮化硅区(43)。进行湿式化学处理以从栅极结构(41,42)的顶部去掉氧氮化硅区(43)。在完成湿式化学处理之后,在栅极结构(41,42)周围形成隔离物(61,62)。
  [HT708-0170-0002] 微型显示器的间隙柱组成方法
[摘要] 一种微型显示器的间隙柱组成方法,用于反射式的红绿蓝三原色微型显示器的间隔柱组成,其中,在于所述红绿蓝三原色微型显示器各别构成的晶片表面镀上一层透明非导电材料层,通过光罩预先安排各红绿蓝微型显示器的间隔柱形成位置,使红绿蓝三原色中的各微型显示器的间隔柱成形位置相互错开不重叠,并利用光蚀刻工艺分别除去透明非导电材料层上非间隔柱安排位置的部份,而在非像素间区内形成若干以非导电材料所组成的间隔柱,使红绿蓝三原色的微型显示器的间隔柱组成位置相互错开不重叠,以确保微型显示器的间隙高度均一性,并使红绿蓝微型显示器作重叠投射时不会产生黑点或光点。
  [HT708-0072-0003] 微型显示器像素单元及其制作方法

一种微型显示器像素单元及其制作方法,该方法先提供一定义有复数个主动区域的半导体基底,接着于该半导体基底上形成至少一栅极,且该栅极覆盖住部分的该主动区域;随后于未被该栅极所覆盖的该主动区域中分别形成复数个漏极/源极,并于该半导体基底上形成一第一介电层并覆盖住该栅极以及该漏极/源极;然后于该第一介电层上形成至少一像素电容的上极板,且该上极板表面另形成一电容介电层;最后于该第一介电层上形成至少一像素电容的下极板并覆盖住于该上极板;本发明不但可大幅提高积集度以及金属电容的线性度,而且能有效降低杂讯以及耦合效应,同时解决习知制程中蚀刻多晶硅层时发生错差以及极板边缘残余物的问题。
  [HT708-0152-0004] 分离闸极快闪存储器的制造方法
[摘要] 一种分离闸极快闪存储器的制造方法,包括以下步骤:提供一基底,该基底中具有一第一掺杂区,其上形成有一具有一凹槽的第一绝缘层,且第一绝缘层中形成有一第一导电层及一浮接闸极层,第一导电层与第一掺杂区电性接触,浮接闸极层则与基底及第一导电层绝缘;沿凹槽及第一绝缘层表面形成一第二导电层;平坦化第二导电层而移除第一绝缘层表面上的第二导电层;蚀刻沿凹槽形成的第二导电层,使凹槽底部的第一绝缘层露出且凹槽侧壁仍残留有第二导电层;移除凹槽底部露出的第一绝缘层而露出基底;沿第二导电层形成一第二绝缘层;在凹槽底部露出的基底中形成一第二掺杂区;形成一第三导电层填满凹槽。
  [HT708-0067-0005] 用于无机表面的蚀刻糊
[摘要] 本发明涉及呈具有非牛顿流动性能的可印刷、均相、无颗粒的蚀刻糊形式的新型蚀刻介质,其用于蚀刻无机表面,尤其是玻璃,优选二氧化硅-和四氮化三硅基玻璃以及其他二氧化硅-和四氮化三硅基体系及其各层。本发明进一步涉及所述蚀刻介质的用途。
  [HT708-0196-0006] 微光学眼镜片设计与制造工艺及其镜片
[摘要] 本发明涉及一种微光学眼镜片设计与制造工艺及其镜片。其工序为1)光刻掩模:按屈光度确定焦距,按光学口径确定计算出(x、y)参数将I(x,y)光刻成对应的若干块掩模。2)离子蚀刻:依次用掩模对样板进行若干次离子蚀刻,得到有相应台阶深度的三维微光学镜面结构。所述的掩模可以是按子午面的一个焦距设计微结构,按弧矢面的另一焦距设计微结构而形成的。其特征在于所述的样板是压模。所述的离子蚀刻,可以在样板的两面进行。本发明的工艺可以制造出具有单焦、双焦、多焦以及在超薄条件下获得高屈光度并成像清晰的镜片,能广泛适应高度远视、高度近视、老花近视、近视老花或散光的矫正,该镜片还具有轻巧、美观且价格低廉等优点。
  [HT708-0056-0007] 金氧半导体晶体管的制造方法
[摘要] 一种金氧半导体晶体管的制造方法,其步骤如下:首先在已形成栅极与栅极间隙壁的基底上进行一源/漏极离子植入工艺,以于间隙壁外侧的基底内形成源/漏极区。接着,利用自行对准技术于栅极与源/漏极区上形成一自行对准金属硅化层,再于基底上形成一层作为后续蚀刻工艺的氮化硅蚀刻阻挡层。然后,对氮化硅蚀刻阻挡层进行一氟全面植入工艺,其植入剂量在5×1013cm-2~5×1014cm-2之间;植入能量在2KeV~5KeV之间,可以降低氮化硅层的氢浓度,进而增进金氧半导体晶体管的启始电压稳定度。
  [HT708-0162-0008] 缩小图案间隙且确保该间隙的方法
[摘要] 本发明公开了一种缩小图案间隙且确保该间隙的方法,是一种半导体工艺,先定义一基底,再在基底上沉积一第一层。然后在第一层上提供一保护层,再在保护层上提供一罩幕层。接着,图案化并定义这层罩幕层,以形成具有至少一大体上垂直的侧壁与一大体上水平的顶部的至少一罩幕结构。随后,利用具有至少一反应气体的化学气相沉积工艺在罩幕结构与保护层上沉积一遮盖层,其中保护层是不与该用以形成遮盖层的反应气体反应的。最后,非等向性蚀刻保护层以及第一层。
  [HT708-0058-0009] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 在氧化硅膜上形成光刻胶图案。该光刻胶图案为这样的形状,以仅仅暴露需要使相邻位线之间电绝缘的部分。换句话说,在此这些部分是形成有位线的接触孔的连接孔形成区以及形成有字线的接触孔的连接孔形成区。使用该光刻胶图案作为掩膜,通过氧化硅膜的完全各向异性蚀刻而形成绝缘区。在这种状态中执行硅化,并且在从连接孔形成区暴露的位线表面上以及外围电路的活性区中的源极/漏极表面上形成硅化物。
  [HT708-0104-0010] 触摸屏的贴合方法改良
[摘要] 本发明涉及一种触摸屏的贴合方法改良,其主要内容是在构成触摸屏的软性薄膜与玻璃基板上,依照所需尺寸规划出位置与排列关系相对应的线路图案后,进行电路的蚀刻与氧化铟锡导电层的制作,并分别在软性薄膜与玻璃基板的四个角落相对设有定位点,配合以自动贴合机定位贴合软性薄膜与玻璃基板后,以雷射切割器所产生雷射光束的高热能去除线路图案周围未使用的软性薄膜,再以玻璃基板切割机相对切开玻璃基板。本发明的特点是大幅提高了触摸屏的贴合方法的合格率和生产效率。
  [HT708-0080-0011] 电气双层电容器及其制造方法
  [HT708-0153-0012] 用于光学复用器/解复用器的薄膜滤波器
  [HT708-0086-0013] 晶体管形成方法
  [HT708-0078-0014] 光器件
  [HT708-0012-0015] 用于半导体蚀刻室的内衬
  [HT708-0054-0016] 光致抗蚀剂残渣除去液组合物

  [HT708-0082-0017] 基底铜层的磨光方法
  [HT708-0064-0018] 闪存技术和LOCOS/STI隔离的氮化隧道氧化物的氮化障壁
  [HT708-0114-0019] 金属箔基叠层产品及其制造方法
  [HT708-0182-0020] 掩膜元件,用此元件制备掩膜的方法和用此掩膜制备感光树脂印版的方法
  [HT708-0029-0021] 消除双层嵌入结构的铜侵蚀的方法
  [HT708-0060-0022] 光电子组件中的对准方法
  [HT708-0068-0023] 改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
  [HT708-0109-0024] 复晶矽/复晶矽电容的制造方法
  [HT708-0202-0025] 形成抗蚀图的方法
  [HT708-0180-0026] 在形成有导电结构的半导体基底表面形成双镶嵌结构的方法
  [HT708-0092-0027] 调整等离子体加工系统中电极厚度的方法
  [HT708-0099-0028] 检测图案缺陷过程的方法
  [HT708-0016-0029] 掩膜法制作高温超导滤波器接触电极的方法
  [HT708-0040-0030] 一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
  [HT708-0126-0031] 提高起始电压稳定性的金属氧化物半导体的制作方法
  [HT708-0156-0032] 半导体元件的短沟道晶体管的制造方法
  [HT708-0115-0033] 在低介电常数材料层中形成开口的方法
  [HT708-0026-0034] 减小图案间隙或开口尺寸的方法
  [HT708-0008-0035] 一种浅沟道隔离结构的制造方法
  [HT708-0011-0036] 包括聚酰亚胺层的叠层组件的蚀刻方法

  [HT708-0004-0037] 制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件
  [HT708-0027-0038] 磁电阻传感器及其制造方法
  [HT708-0177-0039] 在接触孔中形成的配线分层结构,配线分层结构的制作方法,以及具有该配线分层...
  [HT708-0204-0040] 减少反应室杂质含量的方法
  [HT708-0022-0041] 同平面切换模式液晶显示单元的制造方法
  [HT708-0094-0042] 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
  [HT708-0197-0043] 显示装置用布线基板及其制造方法
  [HT708-0193-0044] 在基片上形成阻挡结构的方法及其形成的物体
  [HT708-0048-0045] 燃料电池和电源片技术
  [HT708-0007-0046] 蚀刻的方法
  [HT708-0021-0047] 具有贯通孔的结构体、其制造方法及液体排出头
  [HT708-0194-0048] 使用曝光液体制造微型钻头的方法和装置
  [HT708-0091-0049] 曝光控制光掩模及其形成方法
  [HT708-0205-0050] 减少废气排放量的蚀刻方法
  [HT708-0123-0051] 一种应变计基材及其制造方法
  [HT708-0203-0052] 制作多晶硅薄膜的方法
  [HT708-0134-0053] 液体喷射器件的基底及其成形方法
  [HT708-0088-0054] 掩膜只读存储器的制造方法
  [HT708-0167-0055] 微电子机械系统结构及其制造方法
  [HT708-0132-0056] 化学机械研磨的监控测量方法

  [HT708-0096-0057] 处理装置及其维护方法、处理装置部件的装配机构及其装配方法、锁定机构及其锁...
  [HT708-0147-0058] 可避免氟化半导体元件的金属接点的方法
  [HT708-0187-0059] 光学开关元件及其制造方法
  [HT708-0122-0060] 以晶圆片制造电子芯片元件的包装方法
  [HT708-0121-0061] 具有窗口盖的、无引线的半导体产品封装装置及其封装方法
  [HT708-0065-0062] 光电集成加速度地震检波器
  [HT708-0066-0063] 用于制造半导体功率器件的方法
  [HT708-0175-0064] 喷墨打印头的制造方法
  [HT708-0001-0065] 具沟渠源极线的快闪记忆体及其制作方法
  [HT708-0050-0066] 叠合标记及其应用方法
  [HT708-0165-0067] 沟道蚀刻薄膜晶体管
  [HT708-0036-0068] 减少去除光阻所致缺点形成高品质多厚度氧化物层的方法
  [HT708-0160-0069] 具有电镀电阻器的印刷电路板的制造方法
  [HT708-0047-0070] 非挥发性内存装置用的双重间隔器方法
  [HT708-0127-0071] 双镶嵌金属内连线结构及其制作方法
  [HT708-0169-0072] 硅部件制造方法及硅部件和使用该硅部件的光学部件
  [HT708-0125-0073] 自生长疏水性纳米分子有机防扩散膜及其制备方法
  [HT708-0112-0074] 高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法
  [HT708-0087-0075] 制造闪存单元的方法
  [HT708-0159-0076] 基于近红外分光计控制金属层蚀刻过程及再生用于金属层蚀刻过程的腐蚀剂的方法

  [HT708-0148-0077] 平顶金凸块的制程方法
  [HT708-0032-0078] 核微孔防伪标识的制作方法
  [HT708-0176-0079] 增进介电抗反射涂布层的光阻蚀刻选择比的方法
  [HT708-0009-0080] 双重金属镶嵌结构的制造方法
  [HT708-0034-0081] 薄膜整体声共振器的制造
  [HT708-0018-0082] 具有载体的转印式铜箔制造方法
[HT708-0069-0083] 具有低介电膜的半导体器件及其制造方法
[HT708-0137-0084] 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置
[HT708-0140-0085] 平行且选择性地分散微滴的高效系统
[HT708-0015-0086] 具有分离式浮栅的闪存的制造方法及其结构
[HT708-0023-0087] 无电弧高分子PTC热敏电阻器及其制造方法
  [HT708-0059-0088] 平面单元存储元件的硅化物膜制造方法
[HT708-0155-0089] 一种去除停止层的方法
[HT708-0081-0090] 去除焊垫窗口蚀刻后残留聚合物的方法
[HT708-0195-0091] 利用微影蚀刻制程制作喷墨式打印头的喷孔片的方法
[HT708-0083-0092] 浅沟渠隔离的制造方法
[HT708-0210-0093] 音叉型压电振荡片及其制造方法,压电器件
[HT708-0030-0094] 离子传导陶瓷膜及表面处理
[HT708-0107-0095] 利用非等向性湿蚀刻法来进行平坦化的方法
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W [HT708-0098-0097] 在溅镀蚀刻工艺中监控蚀刻腔体内离子浓度的方法及装置
W [HT708-0013-0098] 蚀刻反应室动态微尘污染状态检测方法
W [HT708-0200-0099] 改进微距一致性的方法
. [HT708-0201-0100] 细微图案形成方法
H [HT708-0191-0101] ZnMgSSe系正-本-负光电二极管以及ZnMgSSe系雪崩二极管
O [HT708-0006-0102] 氟酸的供给方法
N [HT708-0154-0103] 半导体元件微细图形的形成方法
G [HT708-0130-0104] 光刻胶去除剂混合物
T [HT708-0157-0105] 消除浅沟槽隔离中的边沟的方法
U [HT708-0073-0106] 半导体制造装置及半导体元件制造方法
1 [HT708-0178-0107] 制造半导体器件的方法
6 [HT708-0117-0108] 电磁波屏蔽用片
3 [HT708-0183-0109] 沉积绝缘层于沟槽中的装置
. [HT708-0198-0110] 流体喷射装置制造方法
C [HT708-0209-0111] 制作封装输出输入端点的方法以及其结构
O [HT708-0171-0112] 去除感光性树脂与残余聚合物的方法
M [HT708-0063-0113] 自对准的混合工艺和元件
  [HT708-0179-0114] 在快闪存储器元件中形成自行对准掩埋N+型式区域的方法
[HT708-0097-0115] 制造电极的蚀刻方法
[HT708-0038-0116] 低回损蚀刻衍射光栅波分复用器

[HT708-0020-0117] 具有贯通孔的构造体、其制造方法、及液体排出头
[HT708-0173-0118] 微型反应器
[HT708-0052-0119] 蚀刻液
0 [HT708-0019-0120] 具有载体的转印背胶式铜箔制造方法
7 [HT708-0185-0121] 利用扫描探针显微镜针尖的方法及其产品或产品的制作方法
5 [HT708-0039-0122] 双层光刻过程
5 [HT708-0077-0123] 具有阶梯式高密度互连结构的印刷电路板的制造方法
| [HT708-0005-0124] 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件
2 [HT708-0003-0125] 薄膜,平面型声音变换器以及平面型薄膜
8 [HT708-0151-0126] 堆栈闸极快闪存储装置的制造方法
5 [HT708-0017-0127] 消除隔离沟槽拐角晶体管器件的间隔层工艺
2 [HT708-0118-0128] 压力控制方法
6 [HT708-0208-0129] 使用双波纹技术制造半导体器件的方法
1 [HT708-0055-0130] 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
5 [HT708-0108-0131] 金属镶嵌制程的去除光阻的方法
3 [HT708-0043-0132] 一种双位元快速存储器结构及其制造方法
  [HT708-0106-0133] 芯片及其制造方法
  [HT708-0051-0134] 阶梯式开口的制造方法
  [HT708-0074-0135] 金属内连线的制作方法
  [HT708-0163-0136] 一种后浅槽隔离工艺方法

  [HT708-0124-0137] 晶片保护装置
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