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导电膜技术专题,质子导电,导电型,导电氧化类技术资料

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  [HT10062-0061-0001] 导电膜蚀刻剂及蚀刻方法
[摘要] 本发明涉及一种导电膜蚀刻剂及蚀刻方法,其特征在于它由盐酸、增稠剂、增塑剂、消泡剂和水组成,通过化学反应使导电膜的In+3和Sn+4被盐酸溶解,用丝网印刷方法,蚀刻出电极图形,再经冲洗处理即可,该产品蚀刻的电极图形清晰,无污染,提高了电子制产品质量和性能。
  [HT10062-0055-0002] 形成透明导电膜的方法以及采用该方法形成的透明导电膜
[摘要] 一种能够获得低比电阻和低膜压应力的透明导电膜制造方法和所得到的透明导电膜。将置于阳极相对位置的基片温度设置在不高于130℃。由构成阴极的放电等离子体发生装置生成等离子束,将该等离子束引导到阳极,从而使容纳在阳极中的蒸发材料蒸发并使被蒸发材料的微粒离子化,由此在基片的表面上形成透明导电膜。再将该透明导电膜置于不低于180℃的温度下进行热处理。所形成的透明导电膜具有230μΩ·cm或更小的比电阻和0.35GPa或更低的膜压应力。
  [HT10062-0073-0003] 导电膜形成方法,缺陷补偿方法、光电元件及其制造方法

提供一种通过溅射法在形成在衬底上的半导体层上形成透明导电膜的方法,其中将电压彼此独立地分别施加于靶和衬底上,控制出现在衬底中的偏压以便仅在除了半导体层缺陷区域之外的部分上形成透明导电膜,由此抑制透明导电膜的分流并获得其优异的外观。还提供半导体层的有缺陷区域补偿方法,光电元件,和制造此光电元件的方法。
  [HT10062-0022-0004] 聚噻吩-导电纤维复合膜及其制法和用途
[摘要] 一种聚噻吩-导电纤维复合膜,它是电化学沉积法合成的聚噻吩薄膜中含有平行排列的导电纤维。该复合膜可以用不锈钢板作为工作电极,在电极板上预先铺上导电纤维,然后在噻吩三氟化硼乙醚溶液中进行电解聚合,即可制得聚噻吩-导电纤维复合膜,用此复合膜作可充电锂电池的正极,组装成锂电池,充电后放电电压为4.2—2.2伏,在每克20毫安的电流密度下可放电7小时,电池的储能密度为139—150安培小时每公斤。该电池在充放电100次后放电能力未发现下降。
  [HT10062-0045-0005] 透明导电膜,低反射率透明导电膜,和显示器
[摘要] 按照本发明的透明导电膜有一种含有至少二种其总量至少为10wt%的金属的透明导电涂层。这种膜的透明度、可调色性和导电率是高的,有着极高的防静电和电磁屏蔽效能,能够调整透射图象的色调,并在耐盐性、耐酸性、抗氧化能力和抗紫外线能力方面具有极好的耐久性。$本发明的低反射率透明导电膜具有上述透明导电涂层1和至少一层有着与透明导电涂层1的折射率不同的并位于这透明导电涂层的上面和/或下面的透明薄膜2。这种膜能廉价地生产,它的透明度、可调色性和导电率高,有着极高的防静电和电磁屏蔽效能,有着极高的抗反射效能,能够调整透射图象的色调,并在耐盐性、耐酸性、抗氧化能力和抗紫外线能力方面有着极好的耐久性。$本发明的显示装置在其显示屏上形成有上述低反射率透明导电膜。这显示装置的透明度、可调色性和导电率高,有着极好的防静电和电磁屏蔽效能,有着极高的抗反射效能,能够调整透射图象的色调,并在耐盐性、耐酸性、抗氧化能力和抗紫外线能力方面有着极好的耐久性。
  [HT10062-0071-0006] 卤代芳族化合物、其聚合物、和包含它的质子导电膜
[摘要] 本发明公开了一种在其主链中具有柔性结构且即便磺化也因此难以在其机械性能和热性能方面下降的聚合物、一种通过磺化该聚合物而得到的含磺酸基团的聚合物、和一种由该含磺酸基团的聚合物制成的具有优异机械强度和耐久性的质子导电膜。本发明提供了一种新的由以下通式(1m)表示的卤代芳族化合物:其中A独立地表示吸电子基团;B独立地表示给电子原子或基团;X表示氯原子、碘原子或溴原子;R1-R8可相同或不同且每个表示氢原子、氟原子或烷基;且n表示整数2或更高。
  [HT10062-0169-0007] 非晶透明导电膜及其原料溅射靶、非晶透明电极衬底及其制造方法、及液晶显示器用滤色器
[摘要] 提供一种透明性、蚀刻特性优异的低电阻的透明导电膜、其原料 溅射靶、以及在衬底上形成了该透明导电膜的非晶透明电极衬底及其 制造方法。本发明的非晶透明导电膜,是至少包含氧化铟和氧化锌的 透明导电膜,含有选自Re、Nb、W、Mo及Zr的1种或2种或以上的 第三金属,满足下述①式及②式:0.75≤[In]/([In]+[Zn])≤ 0.95…①、1.0×10-4≤[M]/([In]+[Zn]+[M])≤1.0×10-2…②, 其中,[In]、[Zn]或[M]分别表示In的原子数、Zn的原子数或第三金 属的原子数。该非晶透明导电膜为蚀刻时的加工性优异的非晶态,具 有低的电阻率,且迁移率大。
  [HT10062-0040-0008] ITO烧结体、ITO透明导电膜及此膜的形成方法
[摘要] 其SiO2及Bi2O3组成相当于图1_SiO2~Bi2O3二成分系图中点A、B、C、D及E所围成领域的烧结体,以及含有同一组成添加剂的ITO透明导电膜。上述透明导电膜,在以上述烧结体作对靶材,在惰性气体或惰性气体与O2和/或H2所组成的混合气体中进行喷射时,有利于形成。上述烧结体的相对密度高达90%以上,由此形成的透明导电膜在维持高光透过率的同时,还拥有低于2×10-4Ωcm的低电阻率。
  [HT10062-0037-0009] 各向异性导电膜的制造方法以及使用该膜的连接器
[摘要] 一种新的将半导体元件等以很小的连接电阻而且容易修复的方式与电路基板进行导电连接的各向异性导电膜、其制造方法和使用该膜的连接器。在电绝缘性薄膜3的两面形成覆盖铜箔2。通过腐蚀在铜薄层2中形成孔,其后以铜箔2作为掩模腐蚀上述绝缘性薄膜3从而形成贯通孔5。接着,在贯通孔5内充填导电性弹性体6并进行硬化。之后腐蚀铜箔2形成导电性弹性体6的凸点4。
  [HT10062-0076-0010] 无桥丝的导电膜电雷管
[摘要] 本实用新型公开了一种以高能静电放电装置为起爆源或点火源的无桥丝的导电膜电雷管,包括瞬发同步电雷管、延期电雷管、耐高温的电雷管。其特点是所述的电雷管的电极塞上?根导线的脚线相对弯曲形成电极,在电极上涂有导电膜;电极的间距控制在0.2-0.5mm之间。本实用新型设计合理,以导电膜取代了电雷管中的桥丝,当高能静电放电装置接通被起爆的电雷管线路后,击毁电雷管的导电膜使其产生电弧放电,以电弧所释放的能量直接引爆电雷管的药剂。因此,本实用新型使用安全,性能可靠。另外,由于取消了电雷管中的桥丝,从根本上解决了锡铅焊料给操作工人造成的铅中毒的危害问题。
  [HT10062-0088-0011] 反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置
  [HT10062-0097-0012] 氧化物烧结体和溅射靶,以及用作电极的透明导电氧化物膜的制备方法
  [HT10062-0067-0013] 使用化学放大抗蚀剂的透明导电膜的形成方法
  [HT10062-0149-0014] 具各向异性导电膜的液晶模块封装工艺中不良品回收方法
  [HT10062-0026-0015] 铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
  [HT10062-0002-0016] 图案化导电聚合物膜的制备方法

  [HT10062-0124-0017] 导电生物膜保健枕
  [HT10062-0064-0018] 导电颜料粉和用该导电颜料粉形成的透明导电膜
  [HT10062-0074-0019] 一种高稳定的柔性透明导电复合膜
  [HT10062-0139-0020] 用于光电子器件的含有导电聚合物的分散体和膜
  [HT10062-0060-0021] 各向异性导电膜、半导体芯片的安装方法和半导体装置
  [HT10062-0081-0022] 陶瓷导电膜电热元件
  [HT10062-0123-0023] 质子导电膜及其应用
  [HT10062-0113-0024] 各向异性导电胶膜贴附装置及方法
  [HT10062-0051-0025] 透明导电膜和制备该透明导电膜的组合物
  [HT10062-0102-0026] 着色透明导电膜形成用涂布液、附有着色透明导电膜的基体及其制造方法及显示装置
  [HT10062-0009-0027] 于非导电材料形成电磁波干扰遮蔽膜的方法
  [HT10062-0010-0028] 高电阻透明导电膜用溅射靶及高电阻透明导电膜的制造方法
  [HT10062-0105-0029] 适合形成有涂层的导电膜如铂的半导体器件及其制造方法
  [HT10062-0132-0030] 图案的形成装置及方法、导电膜布线、器件的制造方法
  [HT10062-0170-0031] 形成微细铜颗粒烧结产物类的微细形状导电体的方法,以及应用所述方法形成铜微细布线和薄铜膜的方法
  [HT10062-0094-0032] 透明导电膜用表面保护膜及制法和具有该膜的透明导电膜
  [HT10062-0156-0033] 导电聚合物膜
  [HT10062-0090-0034] 制备泡沫导电膜的卷绕式真空镀膜机
  [HT10062-0166-0035] 制备银微粒子胶体分散系的方法、银微粒子胶体分散系和导电银膜
  [HT10062-0052-0036] 安排微粒的方法、液晶显示器和各向异性导电膜

  [HT10062-0141-0037] 用于在厚膜电介质上方印刷导电厚膜的方法和装置
  [HT10062-0053-0038] 用于陶瓷离子传输膜的混合式导电立方钙钛矿
  [HT10062-0095-0039] 表面平坦的高温超导电体膜
  [HT10062-0072-0040] 柔性各向异性耐压导电膜生产工艺
  [HT10062-0134-0041] 导电膜及其制造方法以及具有该导电膜的基材
  [HT10062-0079-0042] 用热雾化附着法制备导电膜的设备
  [HT10062-0153-0043] 氧化铝掺杂的混合导电型致密透氧膜材料
  [HT10062-0101-0044] 高温金属舟及其镀制掺锡氧化铟透明导电膜的方法
  [HT10062-0047-0045] 水基厚膜导电组合物
  [HT10062-0070-0046] 包含吸电子基团和供电子基团的单体、以及包含它的共聚物和质子导电膜
  [HT10062-0057-0047] 透明触摸面板用透明导电膜及用此透明导电膜的透明触摸面板和透明导电膜的制造方法
  [HT10062-0104-0048] 导电材料的印刷装置、印刷掩膜的清洗方法及印刷掩膜的清洗程序
  [HT10062-0155-0049] 一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
  [HT10062-0027-0050] 厚膜超导电子器件及其制造方法
  [HT10062-0050-0051] 一种混合导电型致密透氧膜材料
  [HT10062-0059-0052] 各向异性导电膜和半导体芯片的安装方法以及半导体装置
  [HT10062-0099-0053] 金属微粒子、制备该微粒子的方法、形成含微粒子透明导电涂层膜的涂布液、带有透明导电涂层膜的衬底及显示器
  [HT10062-0171-0054] 导电膜复合中空玻璃
  [HT10062-0152-0055] 质子导电膜及其应用
  [HT10062-0083-0056] 电气及电子电路用导电膜无沟槽切割型固定电阻器

  [HT10062-0087-0057] 具有导电膜中空玻璃的展示柜
  [HT10062-0017-0058] 导电膜配线的形成方法、膜结构体、电光学装置以及电子仪器
  [HT10062-0035-0059] 制造电解导电的电池隔膜聚合物膜的方法和所得的膜
  [HT10062-0112-0060] 溅射靶、透明导电膜及它们的制造方法
  [HT10062-0135-0061] 各向异性导电膜及其制造方法
  [HT10062-0106-0062] 光生伏打装置和具有透明导电膜的元件
  [HT10062-0024-0063] 电介质/合金/电介质型透明导电膜
  [HT10062-0012-0064] 用超临界二氧化碳制备导电聚吡咯复合膜材料的方法
  [HT10062-0014-0065] 碳膜与LiFePO4复合纳米导电材料及其合成方法
  [HT10062-0008-0066] 制造具有透明导电膜的设备
  [HT10062-0028-0067] 一种气敏离子导电膜及其制备方法
  [HT10062-0150-0068] 质子导电膜及其应用
  [HT10062-0172-0069] 导电生物膜保健枕
  [HT10062-0021-0070] 带有新的离子导电膜的燃料电池
  [HT10062-0085-0071] 单层导电膜式触摸屏
  [HT10062-0164-0072] 利用喷射装置制备各向异性导电胶膜的方法
  [HT10062-0162-0073] 各向异性导电膜及其制造方法
  [HT10062-0043-0074] 各向异性的导电粘合剂膜
  [HT10062-0011-0075] 采用导电的粘合膜的功率半导体管芯的连接方法
  [HT10062-0020-0076] 厚膜导电糊组合物

  [HT10062-0163-0077] 各向异性导电粘结剂膜用聚合物复合导电微球的制备
  [HT10062-0082-0078] 圈状导电振膜和注塑成型、印制电极构成的电容式扬声器
  [HT10062-0168-0079] 导电聚苯胺与碳纳米管复合的电磁屏蔽复合膜及其制法
  [HT10062-0110-0080] 透明导电膜和制备该透明导电膜的组合物
  [HT10062-0103-0081] 质子导电膜及其应用
  [HT10062-0034-0082] 液晶显示玻璃的透明导电层和定向膜的厚度和折射率的测量方法
  [HT10062-0165-0083] 含有氧化—还原引发体系微胶囊的各向异性导电胶膜及其制备
  [HT10062-0066-0084] 透明导电膜及其制造方法
  [HT10062-0032-0085] 低压电子霓虹灯导电膜制作工艺
  [HT10062-0003-0086] 导电膜和电子发射器件的生产方法
  [HT10062-0049-0087] 各向异性导电膜及其制造方法
  [HT10062-0092-0088] 在涂覆形成的夹层绝缘膜上具有透明导电膜的液晶显示器
  [HT10062-0029-0089] 透明导电膜以及采用这种透明导电膜的交流粉末型场致发光显示板和液晶显示器
  [HT10062-0025-0090] 透明导电膜与导线焊接及膜上金属电极制备
  [HT10062-0148-0091] 包括含有磺酸基团的聚合物的质子导电聚合物膜及其在燃料电池中的应用
  [HT10062-0033-0092] 扁平形阴极射线管的导电膜及其制造方法
  [HT10062-0126-0093] 透明导电膜和该透明导电膜形成用涂敷液及透明导电性叠层结构体和显示装置
  [HT10062-0144-0094] 厚膜介电材料和导电组合物
  [HT10062-0016-0095] 图案的形成装置及方法、导电膜布线的制造方法及电子器件
  [HT10062-0118-0096] 一种燃料电池质子交换膜横向导电率的测试方法与装置

  [HT10062-0001-0097] 透明导电膜及显示装置
  [HT10062-0117-0098] 二氧化锡透明导电膜的制造设备
  [HT10062-0015-0099] 导电膜形成用组合物、导电膜及其制造方法
  [HT10062-0084-0100] 镀透明导电膜玻璃面板的电源开关
  [HT10062-0122-0101] 一种用于对苯二酚检测的电子导电聚合物膜电极及其制备方法
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[HT10062-0160-0166] 一种不导电的塑料表面金属膜层的制备方法
[HT10062-0140-0167] 导电胶膜的制造方法及其产品
  [HT10062-0062-0168] 聚合物基氢氧化物导电膜
[HT10062-0023-0169] 柔韧的厚膜导电组合物
[HT10062-0038-0170] 导电膜垂直环形切割沟槽电阻器
[HT10062-0042-0171] 用于汽车玻璃的厚膜导电浆料
[HT10062-0098-0172] 芳族磺酸酯衍生物、聚亚芳基及其制备方法,以及聚合物固体电解质和质子导电膜
[HT10062-0173-0173] 二氧化锡透明导电膜的制造装置
[HT10062-K0090-0174] 聚苯胺导电复合膜研究进展-----[来源:现代化工 日期:2002-05]
[HT10062-K0075-0175] 含四针状ZnO晶须的高分子导电膜的研制-----[来源:功能材料 日期:1999-04]
  [HT10062-K0027-0176] 采用USP-CVD沉积SnO_2透明导电膜——F、Sb掺杂及特性研究-----[来源:电源技术 日期:2004-12]

W [HT10062-K0040-0177] 导电玻片上氧化亚铜膜的电沉积和表征-----[来源:无机材料学报 日期:2005-02]
W [HT10062-K0098-0178] 聚苯胺自支撑导电膜的电化学合成及性能-----[来源:功能高分子学报 日期:1998-01]
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O [HT10062-K0130-0192] 氢化非晶碳膜导电机制的探索-----[来源:铁道师院学报 日期:2000-04]
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  [HT10062-K0125-0194] 喷镀法制备SnO_2膜导电玻璃的研究-----[来源:真空 日期:2002-03]
[HT10062-K0144-0195] 双二硫代亚乙基四硫代富瓦烯聚合物的成膜和导电性能-----[来源:华东理工大学学报 日期:2000-01]
[HT10062-K0087-0196] 金属基复合透明导电多层膜的研究进展-----[来源:机械工程材料 日期:2005-02]

[HT10062-K0061-0197] 电化学法制备聚苯胺-聚乙烯醇导电膜的性能-----[来源:半导体光电 日期:2000-01]
[HT10062-K0089-0198] 聚苯胺-PA-6导电复合膜的电化学合成与性能-----[来源:功能高分子学报 日期:1998-02]
[HT10062-K0004-0199] ITO-Al_2O_3复合透明导电膜的制备及光电性能-----[来源:真空科学与技术 日期:2003-03]
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5 [HT10062-K0115-0202] 磷酸掺杂聚乙烯醇质子交换膜的甲醇渗透及其质子导电性能的研究-----[来源:化学通报 日期:2004-03]
5 [HT10062-K0129-0203] 气体绝缘系统电极表面覆膜时金属导电微粒带电原因分析-----[来源:西安交通大学学报 日期:2004-12]
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2 [HT10062-K0108-0205] 聚乙烯醇膜的阻醇及导电性能研究(Ⅰ)热处理聚乙烯醇膜-----[来源:高分子材料科学与工程 日期:2003-02]
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5 [HT10062-K0116-0207] 磷钨酸掺杂PVA-纳米SiO_2复合膜甲醇渗透及质子导电性能的研究-----[来源:功能材料 日期:2005-04]
2 [HT10062-K0084-0208] 激光制造透明导电膜-----[来源:应用光学 日期:1999-06]
6 [HT10062-K0024-0209] 不同有机衬底上沉积的ZnO ∶Al透明导电膜的研究-----[来源:半导体杂志 日期:1999-03]
1 [HT10062-K0157-0210] 透明导电膜ZnO、Al(ZAO)的组织结构与特性 -----[来源:材料研究学报 日期:2002-02]
5 [HT10062-K0165-0211] 锡掺杂的氧化铟透明导电膜的霍尔系数测量-----[来源:苏州大学学报(自然科学版) 日期:1997-03]
3 [HT10062-K0043-0212] 导电聚苯胺-聚醋酸乙烯酯复合膜的合成及特征-----[来源:沈阳化工学院学报 日期:1999-01]
  [HT10062-K0154-0213] 透明导电聚苯胺复合膜的研究进展-----[来源:材料科学与工程 日期:2001-01]
  [HT10062-K0172-0214] 氧化锌透明导电膜-----[来源:工程塑料应用 日期:2003-09]
  [HT10062-K0023-0215] 薄膜厚度对ZnO∶Ga透明导电膜性能的影响-----[来源:功能材料 日期:2005-02]
  [HT10062-K0066-0216] 多金属氧酸盐四硫富瓦烯衍生物荷移盐超薄导电膜(英文)-----[来源:无机化学学报 日期:2004-04]

  [HT10062-K0145-0217] 四电极电压补偿测量质子交换膜的导电率-----[来源:实验室研究与探索 日期:2004-08]
  [HT10062-K0194-0218] 直接甲醇燃料电池用阻醇质子导电聚乙烯醇-聚苯乙烯磺酸共混膜-----[来源:功能高分子学报 日期:2002-01]
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  [HT10062-K0094-0220] 聚苯胺-橡胶导电复合膜的研制-----[来源:中国科技信息 日期:2005-23]
  [HT10062-K0197-0221] 自由体积理论在离子注入聚对苯膜导电机理研究中的应用-----[来源:高分子材料科学与工程 日期:2000-04]
  [HT10062-K0082-0222] 基于导电AFM类金刚石膜表面改性研究-----[来源:功能材料与器件学报 日期:2004-01]
  [HT10062-K0078-0223] 磺化酚酞型聚醚砜膜的制备及其阻醇和质子导电性能-----[来源:高分子学报 日期:2003-04]
  [HT10062-K0187-0224] 有机衬底SnO_2掺Sb透明导电膜的制备-----[来源:太阳能学报 日期:2003-02]
  [HT10062-K0117-0225] 磷钨酸-磺化聚醚醚酮质子导电复合膜-----[来源:高等学校化学学报 日期:2004-02]
  [HT10062-K0182-0226] 有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究-----[来源:太阳能学报 日期:1998-02]
  [HT10062-K0127-0227] 偏压磁控溅射法在柔性衬底上制备ZnO、Al透明导电膜-----[来源:曲阜师范大学学报(自然科学版) 日期:2002-04]
  [HT10062-K0142-0228] 十聚钨酸-聚乙烯醇导电膜的制备-----[来源:化学学报 日期:1999-05]
  [HT10062-K0042-0229] 导电聚苯胺复合膜的研制-----[来源:辽宁化工 日期:2003-11]
  [HT10062-K0143-0230] 手持式导电膜方块电阻测试仪系列的研制-----[来源:真空 日期:1999-04]
  [HT10062-K0188-0231] 有机衬底Zn-Sn-O透明导电膜的低温制备及特性-----[来源:中国科学G辑 日期:2003-05]
  [HT10062-K0164-0232] 温度和氧流量对透明导电ZnO(A1)膜性能的影响-----[来源:北京服装学院学报 日期:1999-02]
  [HT10062-K0033-0233] 磁控溅射法在有机衬底上制备SnO_2掺Sb透明导电膜-----[来源:半导体技术 日期:2002-12]
  [HT10062-K0022-0234] 薄膜厚度对ZnO∶Al透明导电膜性能的影响-----[来源:液晶与显示 日期:2002-03]
  [HT10062-K0109-0235] 绝缘基底上两步法聚合导电聚吡咯膜的研究-----[来源:高分子材料科学与工程 日期:2005-02]
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  [HT10062-K0168-0237] 新型阻醇质子导电聚合物膜——PVA-Nafion共混膜的制备及性能研究-----[来源:高校化学工程学报 日期:2002-03]
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  [HT10062-K0031-0241] 衬底温度和溅射偏压对ZnO、Al透明导电膜结构和光电特性的影响-----[来源:电子元件与材料 日期:2004-07]
  [HT10062-K0085-0242] 激光制造透明导电膜-----[来源:应用光学 日期:2000-01]
  [HT10062-K0173-0243] 氧离子辅助法沉积ITO透明导电膜的研究-----[来源:光学精密工程 日期:2001-02]
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  [HT10062-K0141-0248] 射频磁控溅射制备ZnO∶Ga透明导电膜及特性-----[来源:半导体学报 日期:2005-02]
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