本发明涉及一种半导体装置的制造方法。该方法能够在不增加蚀刻停止膜(stopper)等蚀刻掩模层的厚度的情况下提高低介电常数绝缘膜与蚀刻掩模层的选择比。该半导体装置的制造方法具备：形成含有C和H的聚合物膜的第一绝缘膜的工序、在第一绝缘膜上的规定的区域形成含Si的第一蚀刻掩模层的工序、以及将第一蚀刻掩模层作为掩模，用含氮的蚀刻气体和能量宽度窄的单色化的离子能量，对第一绝缘膜进行等离子蚀刻的工序。
  [HT10061-0001-0004] 低介电常数绝缘膜及其形成方法,以及使用它的电路
[摘要] 本发明提供具有低的相对介电常数、高机械强度和与基材有高粘附力的低介电常数绝缘膜，即具有从一个表面到另一表面的一维通道、且相对介电常数介于基质相的相对介电常数和1之间、从而适合用作层间膜的低介电常数绝缘膜，其中，通过从含有许多在基材上一维生长的柱形相和包围这些柱形相的基质相的复合膜中除去柱形相而获得此膜。
  [HT10061-0044-0005] 结晶玻璃合成物、结晶玻璃、绝缘合成物、绝缘膏以及厚膜电路板
[摘要] 本发明提供了一种结晶玻璃合成物，用于一种电路板中，它能够在１１００℃温度下烧结，并能够赋予玻璃合成物作为用于电路板中的电气绝缘体的良好的特性，诸如相对介电常数只有１／２那么低，热膨胀系数有１２ｐｐｍ／℃那么高，其中，用于电路板中的结晶玻璃合成物含有SiO₂,MgO和CaO，SiO₂，MgO和CaO由重量百分比表示的合成比落在由图１中的三元相图中的连接点Ａ（２５，４５，３０）、Ｂ（２５，０，７５），Ｃ（４４，０，５６），Ｄ（４４，２２，３４），Ｅ（４０，１９，４１）和Ｆ（２９，４０，３１）的线所围绕的区域内。
  [HT10061-0085-0006] 新颖的硅氧烷基树脂和使用该树脂形成的间层绝缘膜
[摘要] 具有新颖结构的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体间层绝缘膜。硅氧烷基树脂除优异的机械性能以外具有低介电常数，并且是半导体器件互连层之间的绝缘膜中的有用材料。
  [HT10061-0019-0007] 有机硅酸酯聚合物和从其得到的绝缘膜
[摘要] 本发明涉及具有高性能和高密度的次产生电器件如半导体器件必须的低介电物质，特别地涉及低介电有机硅酸酯聚合物、碳桥接低聚物的水解缩合产物的制备方法，以及使用由该方法制备的有机硅酸酯聚合物制造绝缘膜的方法，本发明涉及包括由该方法制备的绝缘膜的电器件。根据本发明方法制备的有机硅酸酯聚合物是热稳定的，且具有良好的成膜性能、优异的机械强度和耐裂缝性，从其制造的膜具有优异的绝缘性能、膜均匀性、介电性能、耐裂缝性、和机械强度。
  [HT10061-0099-0008] 用于夹层绝缘膜的光敏组合物及形成带图形夹层绝缘膜的方法
[摘要] 本发明提供一种储藏性能优异且能生产膜厚限度提高了的夹层绝缘膜的光敏组合物。该光敏组合物的特征在于包含：重均分子量为500-200,000的改性聚倍半硅氮烷和光酸产生剂，该改性聚倍半硅氮烷包含由式-[SiR¹(NR²)_1.5]-表示的基本结构单元，其中每个R¹独立地表示含1-3个碳原子的烷基或取代或未取代苯基；每个R²独立地表示氢、含1-3个碳原子的烷基或取代或未取代苯基，最多达50mol％的该基本结构单元被除硅氮烷键之外的连接基取代。
  [HT10061-0006-0009] 低介电常数绝缘膜用组合物、绝缘膜形成方法及电子零件
[摘要] 一种用于形成绝缘膜的组合物，其包括被溶于溶剂中的一种低介电常数聚合材料及一种升华材料。优选低介电常数聚合材料包括聚芳醚。优选升华材料包括硅氧烷化合物，该化合物具有封闭立体结构，其角顶具有原子，诸如被称为Si-T8及Si-T12的那些。也公开了一种形成低介电常数绝缘膜的方法和利用由此形成的绝缘膜的电子零件或部件。
  [HT10061-0022-0010] 方向性电磁钢板及其绝缘皮膜成型法
[摘要] 本发明涉及方向性电磁钢板的绝缘皮膜成型方法与硅钢坯经热轧退火之后，进行一次或包括中间退火的二次以上冷孔，轧成最终钢板厚度且脱碳退火，涂敷退火分离剂后，再进行最终退火，接着涂敷由胶状物质混合物，磷酸盐及铬酸盐组成的绝缘皮膜成型涂敷剂，再进行焙烧处理和热平整制成的方向性电磁钢板。采用本发明的方法制造成的方向性电磁钢板表面皮膜的滑动性和耐热性均良好，在变压器制造中的铁芯加工性能良好，产品磁特性也良好。
  [HT10061-0011-0011] 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件
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