玻璃衬底上设透明电极，透明电极上设非晶硅层。设置镍层作金属催化剂元素，金属催化剂元素与非晶硅层表面接触，之后，热处理非晶硅层使其结晶，由此形成P型多晶硅层。该多晶硅层有晶体取向和高结晶度。用该多晶硅层作籽晶形成有晶体取向和高结晶度的P_型多晶硅层。并在多晶硅层上顺序形成i_型和n_型多晶硅层。用上述结构，能制成有结晶硅的高结晶度，晶体取向，优良性能和高生产合格率的结晶硅薄膜半导体器件。
  [HT10051-0017-0004] 导电性有机薄膜及其制造方法及使用该导电性有机薄膜的有机光电子器件、电线及电极
[摘要] 包含：有机分子的一方的末端与基材表面共价结合的末端结合基；存在于上述有机分子的任意部分，与其他分子聚合的共轭基；及在上述末端结合基与上述共轭基之间的任意部分，不含活性氢的感光性官能团；上述有机分子进行了取向，而且，上述共轭基与其他分子的共轭基聚合而形成导电网络。该导电性有机薄膜具有根据光的照射导电率变化的光转换功能。
  [HT10051-0019-0005] 钛基复合型薄膜光电极及其制备方法
[摘要] 本发明涉及半导体光电催化技术领域，特别涉及具有可见光响应的复合型薄膜光电极及其制备方法。薄膜光电极包括有钛基底，在于在钛基底上渗覆有钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层，在钴钌复合掺杂二氧化钛薄膜层外再覆有二氧化钛薄膜层。本发明采用溶胶—凝胶法制备薄膜光电极，工艺简单，金属离子掺杂浓度易于调节；光电极最外层由二氧化钛组成，由外往里禁带宽度逐渐变小，有利于不同波段光依次吸收，从而充分扩大了材料的频谱响应范围，并且光电极的性能稳定；在光吸收、光催化、光电转换等一种或几种性能方面大大优于单一的均相金属离子或梯度掺杂。本发明可在太阳能利用、光电转换、光催化降解有机污染物等领域得到有效的应用。
  [HT10051-0013-0006] 硅基薄膜的形成方法,硅基薄膜和光电元件
[摘要] 在用含有卤化硅和氢气的源气的高频等离子体CVD中，将由公式Q=P_O×P_R/S/d确定的Q值控制为50或更高，其中，P_O(W)为供给功率，S(cm²)为高频引入电极的面积，d(cm)为高频引入电极和基材之间的距离，P_R(mTorr)为压力。由此，本发明提供了一种形成硅薄膜的方法，硅薄膜和具有优异的光电性能的光电元件，用该方法可获得工业化水平的薄膜形成速度。
  [HT10051-0028-0007] 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备
[摘要] 一种薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备，该薄膜图形形成方法，通过在基板(P)上配置功能液而形成薄膜图形，其特征在于，具有：在所述基板(P)上突出设置与所述薄膜图形对应的围堰(B)的围堰形成工序(S1)；在所述围堰(B)上通过四氟化碳等离子处理而赋予疏液性的疏液化处理工序(S3)；在赋予所述疏液性的所述围堰(B)之间配置所述功能液的材料配置工序(S4)。因此，能够良好地实现细线化。
  [HT10051-0014-0008] 纳米多晶生物薄膜光电池及其制作方法
[摘要] 本发明公开一种纳米多晶生物薄膜光电池及其制作方法。为解决现有太阳能光电池生产、使用成本高的问题而设计，该光电池从上到下的结构为：①透光塑料膜盖层，②SnO₂导电膜层，③有机或无机光敏染料，ZnO、ZnS、Nb₂O₂或TiO₂等半导体薄膜和乳胶状氧化还原剂自组装成的具有空穴的半导体膜，④Ag、Au、Pt导电膜，⑤SnO₂导电膜，⑥薄板垫层。该光电池的制作步骤为：①在导电薄膜垫层上喷涂导电溶液并真空烘干；②然后用丝网印刷法涂ZnO、ZnS乳胶膜并真空烘干；③把烘干的②步骤产品放入有机或无机光敏染料中浸泡后吹干；④把③步骤的产品的导电面加盖透光塑料薄膜层后在边缘部粘结；该光电池可应用于多种用电场所。
  [HT10051-0009-0009] 半导体薄膜光电极的制备方法及其应用
[摘要] 三维半导体薄膜光电极的制备和应用，属于化学反应工程领域中的光电催化技术范畴。其特征在于是以板状、条状、网状等导电材料为基质，半导体材料为附着薄膜，制备半导体薄膜光电极组元的方法，通过固定化技术来实现的；该光电极组元经适当组合后，形成三维半导体薄膜光电极反应装置，用于化工光合成和有害物的光降解。该光电极具有较大的比表面积和良好的流—固传质特性，施以适当的偏压，可显著提高其上多相光催化反应的光效率。
  [HT10051-0031-0010] 多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法
[摘要] 本发明是多元硫属光电薄膜的连续离子吸附反应制备方法；首次采用不同比例的混合阳离子前驱体溶液，制备组成可控的CuInS₂、CuInSe₂、Cu(ln，Ga)Se₂等太阳能光电薄膜，用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳能电池。本发明的阳离子前驱体溶液的组分和含量为CuCl₂∶GaCl₃∶InCl₃为0.5∶0∶1～2∶1∶1；pH值为1～3；硫离子源可采用pH值为10～13，浓度为0.1～1mol/l的Na₂S水溶液或Na₂SeSO₃水溶液或硫脲水溶液。在所述阳离子前驱体溶液、阴离子前驱体溶液中通过连续吸附反应进行镀膜，并经氩气氛下400～550℃热处理后制得所需的光电薄膜。
  [HT10051-0027-0011] 薄膜图形形成方法及器件制造方法、光电装置及电子设备
  [HT10051-0022-0012] 提高细菌视紫红质薄膜脉冲光电转换能力的方法
  [HT10051-0002-0013] 具有多层薄膜迭合的半导体层的薄膜光电电动势元件
  [HT10051-0026-0014] 薄膜光电晶体管,应用该光电晶体管的有源矩阵衬底以及应用该衬底的图象扫描装置
  [HT10051-0023-0015] 光电转换薄膜、蓄电式装置及使用此种装置的显示器
  [HT10051-0030-0016] 形成薄膜的方法、制造器件的方法、光电装置和电子设备

  [HT10051-0006-0017] 氧化锌薄膜、含有其的光电器件及它们的制备方法
  [HT10051-0024-0018] 具有可见光响应的多孔薄膜半导体光电极及光电化学反应装置及制备
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  [HT10051-0008-0021] 形成氧化锌薄膜的方法和使用此薄膜制备半导体元件基体和光电元件的方法
  [HT10051-0025-0022] 制造串联型薄膜光电转换器件的方法
  [HT10051-0007-0023] 光电导薄膜和使用此薄膜的光生伏打器件
  [HT10051-0012-0024] 掺杂稀土元素的纳米粒子/介质复合光电薄膜及制备和应用
  [HT10051-0020-0025] 形成和控制共轭材料薄膜的结构、电学、光学和光电子学性能各向异性的、微米和纳米级制
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  [HT10051-0032-0032] 多元硫属光电薄膜的连续离子层气相反应的制备方法
  [HT10051-K0147-0033] 强度调制光电流谱研究纳晶薄膜电极过程-----[来源：物理化学学报 日期：2001-10]
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  [HT10051-K0027-0035] ITO薄膜微结构对其光电性质的影响-----[来源：厦门大学学报(自然科学版) 日期：2004-04]
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  [HT10051-K0097-0038] 功能薄膜材料多晶硅的制备及光电特性研究-----[来源：材料导报 日期：1999-06]
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  [HT10051-K0100-0044] 光电变色器件用纳米晶氧化钛薄膜的微结构与特性-----[来源：光学学报 日期：2003-12]
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  [HT10051-K0146-0046] 强度调制光电流谱研究纳晶CdSe薄膜电极的界面电荷转移过程-----[来源：中国科学B辑 日期：2000-03]
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  [HT10051-K0047-0099] TiO_2纳米晶薄膜电极的瞬态光电流特性-----[来源：吉林大学自然科学学报 日期：2001-03]
资[HT10051-K0143-0100] 硼掺杂及未掺杂金刚石薄膜的电学和光电导特性-----[来源：半导体学报 日期：1995-10]
料[HT10051-K0022-0101] FeS_2薄膜光电性能的影响因素-----[来源：电工材料 日期：2004-04]
来[HT10051-K0114-0102] 厚度对FeS_2薄膜的光电性能的影响-----[来源：太阳能学报 日期：2002-05]
源[HT10051-K0084-0103] 多孔TiO_2纳米薄膜修饰的镍基光电极的制备和性能-----[来源：化工学报 日期：2002-10]
：[HT10051-K0072-0104] 氮化硼光电薄膜材料的制备及其性能研究-----[来源：材料科学与工程 日期：2002-04]
  [HT10051-K0115-0105] 化学在光电领域的应用(Ⅰ)──单色有机薄膜电致发光材料-----[来源：吉林工学院学报(自然科学版) 日期：1998-03]
宏[HT10051-K0194-0106] 银纳米颗粒负载TiO_2复合薄膜的光催化活性及其光电流性质-----[来源：感光科学与光化学 日期：2006-01]
图[HT10051-K0037-0107] Ti_(1-x)V_xO_2薄膜的制备及光电性能-----[来源：材料研究学报 日期：2002-01]
技[HT10051-K0125-0108] '冷沉积'的Ag-BaO薄膜在超短脉冲激光作用下的光电发射-----[来源：物理学报 日期：1997-06]
术[HT10051-K0074-0109] 低维结构铁电材料光电性能和铁电薄膜红外焦平面列阵器件物理研究(英文)-----[来源：中国科学院研究生院学报 日期：2003-02]
信[HT10051-K0109-0110] 光伏新材料a-CN_x薄膜的光电响应性质-----[来源：半导体学报 日期：2004-04]
息[HT10051-K0212-0111] 制备SnO_2薄膜时原料中水对其成膜和光电性质的影响-----[来源：功能材料 日期：1995-06]
网[HT10051-K0192-0112] 一种新型有机薄膜的制备和光电性质的研究-----[来源：中山大学学报(自然科学版) 日期：1999-04]
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. [HT10051-K0213-0117] 制备高质量ZnO光电薄膜的关键技术-----[来源：电子元件与材料 日期：2005-12]
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O [HT10051-K0201-0119] 有机薄膜衬底 ITO 透明导电膜的制备及光电特性的研究-----[来源：太阳能学报 日期：1998-02]
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G [HT10051-K0156-0121] 热丝化学气相沉积技术低温制备多晶硅薄膜的结构与光电特性-----[来源：物理学报 日期：2003-11]
T [HT10051-K0158-0122] 溶胶-凝胶法制备TiO_2-Pt-glass纳米薄膜及其光电催化性能-----[来源：功能材料 日期：1997-04]
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