一种高介电常数Ta₂O₅基陶瓷的连续调控功率激光制备方法，属于陶瓷材料制备领域。其特征在于，它包括以下步骤：采用大功率激光作为直接辐照源原位或扫描辐照Ta₂O₅基陶瓷坯体，在10～60s的时间内将激光功率密度从初值20～40w/cm²连续提高到烧结功率密度值640～1062w/cm²，开始烧结；经过3～60s的烧结后，在10～60s的时间内连续降低激光功率密度至初值；激光关光，样品冷却成瓷。本发明制备的Ta₂O₅基陶瓷介电常数显著提高，介电损耗小，制备时间短，过程易于控制，工艺重复性高，可实现无污染烧结，制备样品的纯度高。
  [HT10038-0018-0004] 一种Li-Si-Ni-0基高介电常数陶瓷材料及其合成方法
[摘要] 本发明涉及一种新型Li-Si-Ni-O基高介电常数陶瓷材料及其合成方法，属于氧化物陶瓷材料制备技术领域。其特征在于：所述材料原料采用Ni、Li的硫酸盐、硝酸盐或氯化物盐类，以碳酸铵或碳酸氢铵作为沉淀剂，通过化学沉淀法或溶胶—凝胶法合成均匀掺杂的纳米前驱体粉体，经造粒、成型、烧结，获得锂、硅共掺杂的氧化镍陶瓷。由于本发明通过改变不同掺杂元素及相对掺杂含量，可以调控该材料体系的介电性能，如介电常数、介电损耗以及温度稳定性。采用化学沉淀法或溶胶—凝胶法，可以获得粒径可控、化学成分均匀的活性纳米前驱体粉体，从而可以降低陶瓷烧结温度、缩短反应时间，降低能耗，改善产品性能。
  [HT10038-0003-0005] 高介电常数、高稳定、低损耗的陶瓷介质材料其制造方法
[摘要] 一种陶瓷介质材料，通过以（３５～４５）％重量ＴｉＯ_２、（３０～４６％）％重量Ｎｄ_２Ｏ_３、（１６～２５）％重量ＢａＯ、（５～１４）％重量Ｂｉ_２Ｏ_３组成基础成分；以（４５～６０）％重量Ｐｂ_３Ｏ_４、（１５～３２）％重量Ｂｉ_２Ｏ_３、（６～１２）％重量Ｈ_３ＢＯ_３、（３～９）％重量ＳｉＯ_２、（２～６）％重量ＺｎＯ、（１．５～４）％重量Ａｌ_２Ｏ_３组成助熔玻璃成分，并以１１２０℃～１１３０℃的中温烧结获得介电常数ε＜１３０、电容或介电常数的温度变化系数Ｔｃｃ＜±３０ｐｐｍ／℃、损耗因素ＤＦ＜０．０５％的优良性能。应用于电子领域，特别能适于高频领域使用。
  [HT10038-0007-0006] 高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法
[摘要] 一种高频高介电常数微波介质陶瓷及其加工方法，由优化的BaO－TiO₂－Ta₂O₅系列和BaO－TiO₂－Bi₂O₃系列陶瓷粉料用一定量的纳米级Zn、Sn、Mg、Ni、La、Dy液相添加料经搅磨混合、喷雾干燥和烧制后得到，用本粉料制备得到微波电子陶瓷器件其性能超过日本富士通公司微波介质陶瓷样品有关性能指标。
  [HT10038-0014-0007] 一种高介电常数微波介质陶瓷
[摘要] 本发明的高介电常数微波介质陶瓷是以PbO、CaCO₃、Fe₂O₃、Nb₂O₅及ZrO₂组成的表达式为pPbO·qCaO·(p-x)(0.5Fe₂O₃·0.5Nb₂O₅)·(q+x)ZrO₂的微波介质陶瓷，式中，40摩尔％≤p≤70摩尔％，30摩尔％≤q≤60摩尔％，p+q＝100摩尔％，0≤x≤0.5。该高介电常数微波介质陶瓷介电常数为90-150、同时具有低损耗(Qf＞3,000GHz)与近零温度系数。利用该微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应进一步小型化的要求。同时，本发明提供的微波介质陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。因此，本发明在工业上有着极大的价值。
  [HT10038-0013-0008] 一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法
[摘要] 本发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法，其原料的摩尔量百分比为：Ba(OH)₂11.85-28.25，Ln(NO₃)₃20.47-33.23，TiCl₄45.51-67.34，其中Ln为La或Sm，其处理步骤为：①将TiCl₄充分水解得到偏钛酸沉淀；②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中，在200～350℃下进行反应，制得钛酸镧或钛酸钐；③过滤、洗涤、干燥后，再加入氢氧化钡，在密闭的高压反应釜中进行反应，制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末；④过滤、洗涤、干燥后，直接造粒、成型，在1200～1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80~120，品质因数大于5000，谐振频率温度系数τ_f的绝对值可小于15ppm/℃。
  [HT10038-0002-0009] 具有高介电常数的绝缘陶瓷组合物
[摘要] 一种陶瓷绝缘组合物，该组合物具有介电常数高于１００，损耗因数小于０．１％，温度系数特性小于１５０ｐｐｍ／℃。该绝缘组合物亦可在低于１１４０℃温度进行烧结。
  [HT10038-0004-0010] 高介电常数微波介质陶瓷
[摘要] 本发明公开的“高介电常数微波介质陶瓷”是微波通讯元器件的关键材料，它是BaO、(Nd_1－xBi_x)₂O₃、TiO₂、(Ta_1－yNb_y)₂O₅组合而成，各成份含量分别为：８．３４摩尔％≤ＢａＯ≤４１．６６摩尔％，４．１７摩尔％≤(Nd_1－xBi_x)₂O₃≤２０．８３摩尔％，其中０≤ｘ≤０．１５，２５．０摩尔％≤TiO₂≤５８．３３摩尔％，１２．５摩尔％≤(Ta_1－yNb_y)₂O₅≤２９．１７摩尔％，其中０≤ｙ≤１．０，各成分含量百分数之和为１００摩尔％。本发明提供的微波介质陶瓷，其介电常数可达８０～１５５，同时具有低损耗与较小的谐振频率温度系数。
  [HT10038-0019-0011] 高介电常数低损耗微波介质陶瓷
  [HT10038-0008-0012] 高介电常数微波介质陶瓷
资[HT10038-0020-0013] 高介电常数Al2O3基陶瓷的调节功率激光制备方法
料[HT10038-0009-0014] 高介电常数陶瓷粉料及陶瓷电容器的制造方法
来[HT10038-0016-0015] 高介电常数Ta2O5基陶瓷的瞬时调控功率激光制备方法
源[HT10038-0006-0016] 高介电常数微波介质陶瓷及其制备方法

：[HT10038-0010-0017] 高介电常数陶瓷粉料、陶瓷电容器及其制造方法
  [HT10038-0012-0018] 高介电常数介电陶瓷组合物及电子部件
  [HT10038-0001-0019] 有高介电常数和平坦温度系数的介质陶瓷
  [HT10038-0005-0020] 高介电常数介电陶瓷组合物及其制备方法
  [HT10038-0021-0021] 高介电常数微波介质陶瓷材料
  [HT10038-K0003-0022] 高介电常数微波介质陶瓷-----[来源：山东陶瓷 日期：2004-06]
  [HT10038-K0002-0023] MLCC用高介电常数陶瓷介质材料的研究现状及发展趋势-----[来源：材料与冶金学报 日期：2003-03]
  [HT10038-K0004-0024] 高介电常数微波陶瓷材料的研究进展-----[来源：电子元件与材料 日期：2005-12]
  [HT10038-K0005-0025] 高介电常数压电陶瓷材料研究-----[来源：硅酸盐通报 日期：1999-03]
  [HT10038-K0001-0026] EPDM—陶瓷高介电常数低损耗复合电介质薄膜-----[来源：天津化工 日期：1999-05]
  [HT10038-K0006-0027] 提高铝箔比电容的新途径——引入高介电常数金属(陶瓷)氧化物-----[来源：电子元件与材料 日期：1997-01]