一种多层电子电路封装，它包括至少一个导电层，一个对于蚀化激光波长有第一光吸收性的第一有机聚合非导电材料，和对于蚀化激光波长有第二光吸收性的第二有机聚合非导电材料。第一和第二光吸收性互不相同。这种有机聚合非导电材料之一的第一层覆盖在该导电层的至少之一个表面上，而具有与第一层材料不同光吸收性的一个不同有机聚合材料的第二层覆在该第一层上。
  [HT10017-0306-0004] 干式蚀刻方法、干式蚀刻气体及全氟-2-戊炔的制备方法
[摘要] 一种干式蚀刻方法，包括：对抗蚀剂膜照射波长195nm以下的放射线，形成最小线宽200nm以下的抗蚀剂图案，接着，使用具有至少1个不饱和键的碳原子数4～6的氟类化合物作为蚀刻气体，干式蚀刻该抗蚀剂图案。作为该氟类化合物，优选使用全氟-2-戊炔、全氟-2-丁炔、九氟-2-戊烯、九氟-2-戊烯和全氟-2-戊烯。全氟-2-戊炔可以通过使1，1，1-三卤-2，2，2-三氟乙烷与五氟丙醛反应，生成2-卤-1，1，1，4，4，5，5，5-八氟-2-戊烯，接着，使该2-戊烯脱卤化氢进行合成。
  [HT10017-0381-0005] 蚀刻液、其补给液、使用其的蚀刻方法和布线基板的制法
[摘要] 本发明提供了蚀刻液和使用该蚀刻液的蚀刻方法，该蚀刻液是含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液。本发明的蚀刻方法是将上述金属与上述蚀刻液接触。另一种蚀刻方法是，在将金属表面与由至少含有如下A～C的水溶液组成的第一液体(A.盐酸，B.选自具有氨基、亚氨基、羧基、羰基和羟基中的至少一种基团的碳原子数在7以下的含硫化合物，噻唑和噻唑系化合物中的至少一种，C.表面活性剂)接触后，再与含有盐酸、硝酸和二价铜离子源的水溶液为第二液体的蚀刻液接触。由此使得能够将选自镍、铬、镍铬合金和钯中的至少一种金属迅速地蚀刻掉，并且降低铜的过度溶解。
  [HT10017-0386-0006] 蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
[摘要] 本发明公开一种用蚀刻和/或清洗应用从基体上除去一种物质的方法。在一个实施方案中，提供一种从基体上除去具有介电常数比二氧化硅大的物质的方法，该方法通过该物质与反应剂反应形成挥发性产物，并从基体上除去该挥发性产物，从而从基体上除去该物质，其中该反应剂包括选自由含卤素化合物、含硼化合物、含氢化合物、含氮化合物、螯合物、含碳化合物、氯代硅烷化合物、氢氯化硅烷化合物或有机氯代硅烷化合物所组成之组中的至少一种。
  [HT10017-0371-0007] 等离子体蚀刻方法
[摘要] 本发明在对形成于抗蚀剂掩膜上的相互邻接的孔或槽等凹部的间隔在200nm以下的基板进行蚀刻时，可抑制凹部内周面的弯曲，减少被蚀刻部位，例如SiO₂膜的孔的条痕。使C₄F₈气体、C₄F₆气体和C₅F₈气体等的活性种形成用的气体，和包含氙气和例如氩气的不活泼性气体的处理气体等离子体化，进行蚀刻。在这种情况下，氙气的流量相对于氙气和氩气的总流量的比率在0.1以上。
  [HT10017-0021-0008] 一种大理石碑的蚀刻方法
[摘要] 本发明公开的是一种大理石碑刻——蚀刻工艺。它分七大工艺。其中的制版工艺是先描出１∶１阳版，然后将古拓片照像制版为１∶１之阳版，反阴再修和反阳，反拍出与原拓一样粗细，再经标牌工艺、石面处理、晒版、出拓和腐蚀工艺，腐蚀工艺溶化石蜡在大理石四周围起１０ｃｍ高的蜡墙以５０％纯硝酸注入蜡墙，硝酸腐蚀大理石，直至字面凹下１—１．１ｍｍ,白漆工艺以酚醛白漆均匀喷涂在大理石表面，两天后用小刀铲起白漆层。采用本发明可在较短的时间内无丝毫之差的复刻出古碑原貌。
  [HT10017-0217-0009] 通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
[摘要] 一种形成半导体装置的方法，于基材(20)上形成闸电极(22)并于该基材(20)与闸电极(22)上形成多晶硅再氧化层(26)。沉积氮化物层(28)于该多晶硅再氧化层(26)上并予以非等向蚀刻。该蚀刻终止于该多晶硅再氧化层(26)上，并随之形成氮化物偏移间隔(30)于该闸电极(22)上。当允许形成该偏移间隔(30)时，该多晶硅再氧化层(26)被用作为蚀刻终止层借以防止该氮化物层(28)下的硅基材(20)受到破坏。
  [HT10017-0273-0010] 用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法及系统
[摘要] 一种用于叠层膜的组合式湿蚀刻方法，它能够以协同方式执行蚀刻过程，同时控制叠层膜中各层膜的侧蚀刻以使得侧边形状均匀。在该湿蚀刻方法中，对顺序淀积于衬底上的包含薄膜特性各不相同的第一和第二膜的叠层膜组合执行两种或多种类型的蚀刻方法。这两种或多种类型的蚀刻方法至少包括：第一湿蚀刻方法，其中对第一膜的侧蚀刻比对第二膜的侧蚀刻更容易进行；和第二湿蚀刻方法，其中对第二膜的侧蚀刻比对第一膜的侧蚀刻更容易进行。
  [HT10017-0334-0011] 用于相移掩模的嵌入式蚀刻阻止层
  [HT10017-0152-0012] 金属薄膜干蚀刻后处理方法及蚀刻与去光刻胶的整合系统
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