因版面及工作量限制,每页只显示前10项技术的摘要信息,更多信息及详细全文资料将以光盘形式提供。此光盘包括“专利技术217篇”,收费198元。 |
[HT5760-0085-0001] 大面积钨、钼及其氧化物纳米线与阵列以及其制备与应用 [摘要] 本发明公开了一种大面积钨、钼及其氧化物的纳米线及其阵列。本发明还公开了钨、钼单质及其氧化物的纳米线及其阵列的制备方法及应用。本发明的制备方法简单、直接,对设备要求不高,成本低廉。同时本发明制备的大面积钨、钼及其氧化物的纳米线具有优异的场致电子发射性能,作为冷阴极电子源会有很大的应用前景,尤其是在场致电子发射平板显示器、冷阴极发光管、冷光源等。
[HT5760-0026-0002] 一种刚玉-莫来石复相陶瓷涂层的制备方法 [摘要] 本发明公开了一种刚玉-莫来石复相陶瓷涂层制备方法。采用一定的先驱体气相系统在450℃~650℃的温度下通过减压化学气相沉积法制备出γ-Al2O3结合无定型SiO2复核氧化物涂层,然后在1250℃左右热处理即可获得。所用先驱体均为高纯气体,沉积炉内压力为76乇以下,设备为通用的化学气相沉积炉。可以通过调整进入沉积炉内的氧化铝与氧化硅的先驱体流量比例获得不同组份的(0~100%)刚玉-(0~100%)莫来石复相陶瓷涂层。
[HT5760-0044-0003] 化学置换镀金溶液及用于制备该电镀液的添加剂 |