本实用新型为一种自动浸镀机，主要是在机台上设有出入料输送装置、压板驱动装置及原料供给装置等，所述的出入料输送装置是设置于机台中央工作区的Ｘ轴方向，而所述的压板驱动装置则设于工作区的Ｚ轴方向，所述的原料供给装置设置于工作区的Y轴方向，借此完成自动化精确的加工作业，以获得均匀一致的浸镀品质。
  [HT5754-0103-0004] 用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器
[摘要] 本实用新型涉及一种薄膜制备技术，特别是涉及一种薄膜制备中用加热器制造技术领域。本实用新型为了制备均匀厚度的大面积双面超导薄膜，从而提供一种由单晶硅加工成凹型的加热板，它通过金属夹板把电极固定在辐射屏蔽架子上构成单晶硅辐射基片加热器。该加热器使用温度达１０００℃，恒温区可达７０×７０ｍｍ^２，它不仅可适于制备单面薄膜，而且适于制备双面薄膜。
  [HT5754-0015-0005] 立式玻璃移动溅射镀膜装置
[摘要] 本实用新型涉及一种立式玻璃移动溅射镀膜装置，它由高、低真空抽气机构、电子轰击器、加热器、溅射靶、牵引机构、壳体等组成。由于把加热器、溅射靶及牵引机构都装在一个壳体内，并在牵引机构上竖立放置两块玻璃，使两块玻璃可在设定的轨道上来回移动，故可同时镀出两片溅射镀膜玻璃。本实用新型结构简单合理，造价较为便宜，工艺操作难度低，适合于中小型企业使用。
  [HT5754-0064-0006] 等离子体多弧离子镀膜装置
[摘要] 本实用新型公开了一种等离子体多弧离子镀膜装置，是一种物理汽相沉积技术，用于工作表面镀层。离化源采用了前端呈球面凸形的圆柱体离化体，阴极底座外部装有环形永久磁铁，离化体外围设置了可调式屏蔽件，离化体前部设有隔网，并采用了由引弧板、电磁换向阀和气缸组成的自动引弧系统。因此，磁场分布均匀，离化率高，引弧灵敏可靠，镀层质量好。
  [HT5754-0046-0007] 金色表面的制品
[摘要] 一种金色表面的制品，由耐热的基底材料及其表面三个膜层组成，涂层包括Ｔｉ等金属及其一些非金属如硅的氧化物、氮氧化物、氮碳化物、氮氧碳化物的基层及极薄的透明的单一金属过渡层和金或金合金外表层。膜层颗粒细腻，孔隙率低，质地密集，耐腐蚀、耐磨损性能高、色彩多样，能适应各种外表层的颜色，选材范围很大，镀膜工艺大大简化，且与基底的附着力好。
  [HT5754-0215-0008] 泡沫镍磁控溅射卷绕镀膜机
[摘要] 本实用新型的结构是，机体是一个由上部放料室(1)和下部收料室(12)及中间立式隧道式真空室(15)组成的封闭箱体，室(1)和(12)中分别装有放、收料辊(2)(10)，真空室(15)中竖向装有多对导向板(5)(8)，在辊(2)与板(5)及辊(10)与板(8)间有若干导向辊(4)(9)，多组磁控溅射阴极和镍靶(6)分设在真空室(15)对应两侧且该两侧装有相应的阳极(7)。室(1)(12)分别装有无张力监控探头(3)(11)，室(1)有抽气接口(13)而室(12)有观察窗(14)。在无张力及真空条件下镀镍产品质量高、生产中无污染产生。
  [HT5754-0084-0009] 旋转磁控柱状多弧源-平面磁控溅射源离子镀膜机
[摘要] 本实用新型是一种旋转磁控柱状多弧源－平面磁控溅射源离子镀膜机。属于等离子体表面气相沉积技术。在镀膜室中央安装旋转磁控柱状多弧源，在镀膜室的侧壁安装平面磁控溅射源。主要由镀膜室、磁控溅射电源、平面磁控溅射源、工件转架、旋转磁控柱状多弧源、弧源电源、进气系统、烘烤加热源、工件偏压电源、真空系统、引弧针系统组成。可以沉积多层膜、合金膜，尤其在镀氮化钛加Ｋ金复合精饰层时，具有结构简单、操作简便、装载量大、Ｋ金色泽容易调整、成本低等优点。
  [HT5754-0043-0010] 采用激光法制备薄膜系统中的热反射镜装置
[摘要] 本实用新型涉及一种制备薄膜的装置，特别是用激光法制备薄膜的真空室中设置的热反射装置。本实用新型为了解决激光镀膜在膜表面和内部存在颗粒的问题，进一步提高膜的质量，从而提供由镜片、加热器、反射罩、固定机构组成的采用激光法制备薄膜的系统中的热反射镜装置。该装置热反射镜温度较高，被反射的靶物质被二次加热致使其中的固、液微团消失，使膜表面及内部无颗粒存在，所镀膜更加光亮和致密。
  [HT5754-0006-0011] 双真空室镀膜设备
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  [HT5754-0036-0013] 电焊网热镀锌装置
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  [HT5754-0008-0038] 化学热处理滴量仪
  [HT5754-0069-0039] 一种利用磁控等离子体技术制备低表面能换热管的加工炉
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