提高电子回旋共振化学气相沉积速度的方法及装置属于微波低温等离子体技术领域。包括有微波源、真空密封、薄膜沉积、真空泵系统、磁场产生及气路、气体控制部分，磁场产生是在位于谐振腔壁外放置单并磁场线圈，产生电子回旋共振等离子体所需的轴向磁场位形，本发明的特征在于，是在沉积室内放置了可在样片台(12)上方产生均匀轴向磁场的的永磁体单元(13)，该单元不仅体积小，在沉积室有较大的移动空间，并且轴向磁场变化大，使得轴向磁场位形在靠近永磁体时发生显著变化，使得谐振腔及沉积室的轴向磁场位形由单并线圈和永磁体单元组合共同形成和调节。这种磁场位形决定了其在电子回旋共振条件下产生的等离子体可获得高的薄膜沉积速度。
  [HT5745-0168-0004] 管筒状工件内表面束线离子注入装置
[摘要] 管筒状工件内表面束线离子注入装置，它涉及一种对管筒状工件内表面实施离子注入的装置，特别是对细长管内壁实施离子注入的装置。它包含离子注入机(1)、真空室(2)和偏转装置(3)，偏转装置(3)设置在工件A的内孔中，偏转装置(3)包含有产生与离子束飞行方向相反电场的轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)，以及设置在轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)之间的径向电极(3-3)，轴向电极(3-1)和接地电极(3-2)与工件A的轴线相垂直，在接地电极(3-2)上开有一个使离子束射向轴向电极(3-1)的孔(3-4)，径向电极(3-3)与工件A的轴线相互平行。该装置彻底解决了细长管工件内表面的离子注入问题。
  [HT5745-0029-0005] 沉积装置和沉积方法
[摘要] 提供用于制造具有多个功能区的有机化合物层的一种沉积装置。该沉积装置包括沉积室内的多个蒸发源，能连续形成包括有机化合物的相应的功能区，并且，进一步在功能区的相邻区之间的界面形成混合区。用具有这种制造室的沉积装置，可以防止功能区之间的杂质污染，并且进一步可以在界面形成缩短能隙的有机化合物层。
  [HT5745-0017-0006] 陶瓷的制法及其制造装置以及半导体器件和压电元件
[摘要] 陶瓷的制法包含在预定区域边供给至少成为陶瓷原材料一部分的物质的活性粒子(100A)和电磁波(200A)，边形成陶瓷膜的工序。也可以在前述规定区域上形成由陶瓷原材料一部分的物质构成的膜。还包含在第1陶瓷膜(20a)上供给活性粒子(100A)和电磁波(200A)，形成与第1陶瓷膜(20a)的结晶构造不同的第2陶瓷膜的工序。
  [HT5745-0112-0007] 离子束增强磁控溅射渗镀涂层装置及工艺
[摘要] 本发明离子束增强磁控溅射渗镀涂层装置及工艺属于金属材料表面改性的范畴。是一种非平衡磁控溅射和离子注入相结合的技术，在非平衡磁控溅射镀膜的装置中，加入一个中低能束离子源，从磁控溅射源发射出欲渗镀的金属及其合金的高能量、高离化率的金属离子流，在工件负偏压下的吸引下，快速沉积于预加热的工件表面，然后由中低能离子束注入氮和碳，使其沉积层与工件基体形成一定厚度的扩散层，在较低温度工件表面快速形成金属碳、氮化合物的表面改性层。
  [HT5745-0202-0008] 高产率气相沉积制备大型单壁化碳纳米管的方法
[摘要] 本发明公开了一种在气凝胶载有的金属催化剂上制备单壁化碳纳米管的改进的气相沉积方法。以催化剂的重量为基础，SWCNT的总产率经常为至少约100％，反应时间至少为约30分钟。
  [HT5745-0175-0009] 用于氧化锆和氧化铪薄膜沉积的前驱体
[摘要] 一种用于制备通过化学气相沉积方法形成的薄膜的前驱体的方法，其包括将ZCl₄同H(tmhd)₃溶剂和类如苯的烃溶剂混合，形成一种溶液(其中Z为一种从包含铪和锆在内的元素组中选取的元素)；将该溶液在氩气中回流12小时；藉助真空除去溶剂，从而产生一种固体化合物；将该化合物在0.1mm Hg的近真空状态和200℃下升华；还提出一种用于化学气相沉积方法的ZO_x前驱体，其包括从包含ZCI(tmhd)₃和ZCl₂(tmhd)₂在内的化合物组中选取的一种含Z化合物。
  [HT5745-0142-0010] 表面含铜抗菌不锈钢及其制造工艺
[摘要] 本发明涉及表面含铜抗菌不锈钢及其制造工艺，表面含铜抗菌不锈钢包括不锈钢基材，在不锈钢基材表面上有含ε-Cu的渗镀层，渗镀层的含铜量为1.5-30wt％；其制造工艺包括步骤为：(1)将不锈钢基材放入包含分析用CuO、CuCl和NH₄Cl(或尿素)的渗剂中；(2)加热至800～1000℃温度区间，并保持2～10小时；(3)在400～950℃区间进行1～8小时的固溶时效处理。本发明可以直接在不锈钢成品的基础上获得其基体不具备的抗菌性能，同时避免了整体添加Cu而造成的不利影响。
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