本发明提供一种氧化硅薄膜的制造方法，其应用于多晶硅薄膜晶体管工艺，其先以等离子体辅助化学气相沉积系统于衬底完成沉积非晶硅薄膜的步骤之后，再对非晶硅膜提供含氧等离子体，对其表面施以含氧元素的等离子体处理，使非晶硅膜形成表面氧化层，此方法能减少工艺所需花费的时间，进而减少工艺的成本。
  [HT8131-0147-0004] 薄膜场效应晶体管的制造方法
[摘要] 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管的制造方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成栅电极；在所述栅电极上形成栅绝缘膜；通过喷墨印刷方法在所述绝缘膜上形成半导电层；和在所述半导电层上形成源极和漏极接触。本发明的方法制造的薄膜器件借助于利用廉价、产量高、涂敷液使用效率高的制造装置来制造TFT，大幅度削减初期投资及液晶显示装置的成本。
  [HT8131-0088-0005] 形成不同栅极间隙壁宽度的方法
[摘要] 一种形成不同栅极间隙壁宽度的方法，首先，提供一基底，其上具有第一、第二、及第三栅极，在第一、第二、及第三栅极的侧壁各依序形成第一及第二间隙壁，其中第二间隙壁底部覆盖部分的第一间隙壁；接着，在第一栅极上方形成第一遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第一深度；去除第一遮蔽层后，在第一及第二栅极上方形成第二遮蔽层并等向性蚀刻未被遮蔽的第一间隙壁，使其同时下陷及底切至第二深度；最后，依序去除第二遮蔽层及第二间隙壁，以分别在这些栅极的侧壁形成不同宽度的间隙壁；本发明仅需在栅极表面形成两绝缘层，就可形成不同宽度的栅极间隙壁，因此非常适用于嵌入式内存、混合信号电路甚至是系统芯片(SOC)；另，本发明以等向性蚀刻配合局部蚀刻的方式形成不同宽度的间隙壁，可有效简化制程及降低制造成本。
  [HT8131-0106-0006] 半导体集成电路
[摘要] 本发明提供了一种半导体集成电路，其包括：第一单元组，其中沿着该半导体集成电路的外周边的方向设置了多个用于獠渴淙牒?或输出的I/O单元和/或电源单元；以及设置在所述第一单元组内侧的第二单元组，其中沿着该半导体集成电路的外周边的方向设置了多个用于外部输入和/或输出的I/O单元和/或电源单元。形成第二单元组的单元之间的间隔比形成第一单元组的单元之间的间隔宽。
  [HT8131-0214-0007] 接触孔形成方法、薄膜半导体装置的制法、电子器件及其制法
[摘要] 一种不使用真空装眯纬山哟タ椎姆椒ǎ�将与多晶硅�?14)的源极区域(16)、漏极区域(18)及栅电极(34)之上的接触孔形成区域对应的位置的抗蚀剂膜曝光，显影，形成掩模柱(40)。之后，在除去了掩模柱(40)的整个玻璃基板(10)上涂敷液体绝缘材料，形成绝缘层(42)。接着，灰化除去掩模柱(40)，形成可以贯通绝缘层(42)、栅极绝缘膜(26)的第2接触孔(44)、第1接触孔(28)。
  [HT8131-0164-0008] 在半导体器件设置中提供自对准接点的方法
[摘要] 一种用于沟槽电源MOSFET的自对准接点的方法，其包括在衬底中贯穿淀积在氧化物层上的氮化硅掩模蚀刻沟槽，在沟槽壁上形成栅极氧化物层，施加多晶硅以填充沟槽和覆盖氮化硅掩模的表面，从氮化硅掩模的表面除去多晶硅，和施加光刻胶掩模以覆盖栅极总线的位置。还包括使形成在有源区中的沟槽中的多晶硅栓塞下凹，以在多晶硅栓塞上方形成凹槽，用绝缘材料填充形成在有源区中的沟槽中多晶硅栓塞上方的凹槽，施加第四光刻胶掩模以限定在氮化物层中打开的接触窗口，并选择蚀刻氮化硅膜，留下覆盖位于有源区中的沟槽的平坦表面氧化物按钮。且采用自对准间隔操作限定电接触沟槽，并且施加第五光刻胶掩模，以便对与半导体器件有源区接触的金属接点进行构图。
  [HT8131-0210-0009] 制造浅沟槽隔离结构（STI）的方法
[摘要] 本发明是关于一种在半导体基底上，具有良好填沟能力的浅沟槽隔离结构制造方法。首先，在半导体基底上形成沟槽，并在该沟槽的底部与侧壁依序形成内衬氧化物层与内衬氮化硅层；接着在该沟槽中顺应性的沉积部分高密度电浆氧化物层(HDP oxide)；接着，在半导体基底表面顺应性的形成一多晶硅层，再将半导体基底进行热处理以氧化该多晶硅层；接着将该半导体基底表面进行平坦化制程，以形成浅沟槽隔离结构(STI)。借由该高密度电浆氧化物与氧化后的多晶硅层，可以在沟槽中形成填充良好无孔洞的隔离结构。
  [HT8131-0184-0010] 形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件
[摘要] 使用常规的半导体工艺，提供一种可以形成多孔膜的涂布液，所述的多孔膜具有要求可控的厚度和优良的介电和力学性质。特别是，提供一种形成多孔膜的组合物，所述的组合物包括缩合产物和有机溶剂，其中在碱性催化剂存在下通过一种或多种由通式(1)：R¹_kSi(OR²)_4-k代表的硅烷化合物，和一种或多种由通式(2)：{X_j(Y)_3-jSi-(L)_m-}_nMZ_4-n代表的交联剂的水解和缩合得到缩合产物。而且，提供了制造多孔膜的方法，包括施加所述组合物的步骤以便形成膜，干燥膜和加热干燥的膜从而硬化膜，也提供了其它的信息。
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