半导体器件包含底电极、顶电极和位于底电极和顶电极之间、由含有Pb、Zr、Ti和O的钙钛矿型铁电体制成的介电膜，介电膜包含由许多晶粒形成的第一部分，这些晶粒被具有许多方向的晶粒边界分隔开。
  [HT8125-0029-0004] 将氨用于刻蚀有机低K电介质
[摘要] 用于将氨NH3用作活性刻蚀剂来刻蚀有机低k电介质的方法。以类似的过程条件，使用氨的过程导致至少两倍于使用N2/H2化学的过程的对有机低k电介质的刻蚀速率。其差别是由于在过程化学中NH3比N2低的多的离子化势能，这导致在类似过程条件下的明显较高的等离子体密度和刻蚀剂浓度。
  [HT8125-0032-0005] 具有无凸块的叠片互连层的微电子组件
[摘要] 公开了一种微电子器件制造技术，可将至少一个微电子芯片设置在微电子组件芯部至少一个开口中，并用封装材料将微电子芯片组/单个片固定在开口中；还可无需微电子组件芯部将至少一个微电子芯片封装在封装材料中，或固定至少一个微电子芯片到散热器中至少一个开口内。然后电介质材料和导电迹线组成的叠片互连条连接微电子芯片组/单个片到封装材料、微电子组件芯部及散热器中至少一个上，形成微电子器件。
  [HT8125-0024-0006] 用于单离子注入的方法和系统
[摘要] 种用于单离子掺杂和处理的方法和系统检测衬底中的单离子的注入、穿透以及终止。这种检测对于将可数数量的³¹P离子成功地注入到用于构成凯恩量子计算机的半导体衬底内很必要。该方法和系统特别涉及衬底(20)的表面上两个电极(22，23)上的电位(24)的应用，以产生电场将衬底(20)内形成的电子空穴对分开并清除。然后使用检测器(30)检测电极中的瞬时电流，由此决定衬底(20)中单离子的到达。<
  [HT8125-0048-0007] 通过离子注入实现晶粒更加细小的钴硅化物工艺
[摘要] 本发明属集成电路制造工艺技术领域。为了能够在更先进的技术下满足结漏电的要求，需要对现有的钴硅化物工艺进行改进，方法之一是在CoSi或者CoSi₂形成以后，通过离子注入的方法，将不同种类的离子，以中等剂量、较高能量注入到硅衬底中，通过打碎CoSi的晶粒以便于在随后的RTP中形成晶粒与普通工艺相比更加细小的CoSi₂。通过这种方法，可以令钴硅化物可以在0.13μm以下的工艺中继续使用，并获得令人满意的性能。
  [HT8125-0042-0008] 一种改变氢化物气相横向外延GaN薄膜中倾斜角的方法
[摘要] 采用HVPE方法横向外延薄膜GaN过程中添加HCl改变并消除晶面倾斜角的技术和方法。在HVPE横向外延GaN过程中直接添加HCl至衬底表面，通过HCl对GaN的腐蚀作用等，使局域V/III比发生变化，从而改变倾斜角，改善薄膜的表面形貌和质量，直接添加至衬底的HCl流量为4-10sccm。与其他的方法相比，不会引入额外的杂质，这是该发明的一大技术特点。此外，将HCl引入生长区，改变了局域的反应平衡，也会改善GaN薄膜的表面形貌和质量。
  [HT8125-0011-0009] 薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置
[摘要] 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制造方法和采用该薄膜晶体管的显示装置。该薄膜晶体管包括一有源层，其形成于一绝缘衬底上，且其中形成有沟道区、源极区和漏极区，其中一电压被施加到该沟道区上以释放在该沟道区中产生的热载流子。
  [HT8125-0045-0010] 半导体薄膜后处理系统及样品架
[摘要] 本发明名称为“半导体薄膜后处理系统及样品架”，属于半导体材料与器件的制备设备。其特征在于：将超声喷涂与退火两个过程分开进行，专用样品架在隧道炉中步进式前进，保证被退火工件在温度均匀的恒温区中停留，保护气体经加热后横向通过恒温区，不致造成温度波动。本发明主要用于大面积半导体薄膜制造过程中的连续热处理，能解决大面积上的温度均匀性与稳定性问题。
  [HT8125-0170-0011] 整合微机电装置及集成电路的制造流程的方法
  [HT8125-0005-0012] 固体摄像装置
  [HT8125-0002-0013] 非易失半导体存储器
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  [HT8125-0066-0017] 半导体晶片
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  [HT8125-0014-0019] 发光二极管装置
  [HT8125-0200-0020] 基片保持装置和电镀设备
  [HT8125-0136-0021] 垂直双栅极场效应晶体管
  [HT8125-0148-0022] 腐蚀晶片的方法
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  [HT8125-0145-0025] 自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法
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  [HT8125-0135-0029] 用于混合信号RF应用和电路的集成电路结构
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  [HT8125-0073-0034] 使用半导体芯片的半导体装置
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  [HT8125-0183-0036] 静电放电保护元件及其制造方法

  [HT8125-0108-0037] 侧面进光的双台形高速光探测器的连体式双管芯
  [HT8125-0179-0038] 设有触接垫的半导体装置
  [HT8125-0119-0039] 基片处理装置
  [HT8125-0137-0040] 由碳纳米管构成沟道的场效应晶体管
  [HT8125-0028-0041] 等离子体装置
  [HT8125-0138-0042] 用于形成触点的方法及封装的集成电路组件
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