一种碳化硅半导体器件包括衬底(1、31)和结型场效应晶体管。所述晶体管包括：第一半导体层(2、32)，其设置在衬底(1、31)上；第一栅极层(3、33)，其设置在第一半导体层(2、32)的表面上；第一沟道层(7、36)，其在衬底(1、31)上与第一栅极层(3、33)相邻；第一源极层(4、40)，其电连接于第一沟道层(7、36)；第二栅极层(8、37)，其与第一沟道层(7、36)相邻以将第一沟道层(7、36)夹在中间；第二沟道层(9、38)，其与第二栅极层(8、37)相邻以将第二栅极层(8、37)夹在中间；第三栅极层(10、39)，其与第二沟道层(9、38)相邻以将第二沟道层(9、38)夹在中间；和第二源极层(11、40)，其电连接于第二沟道层(9、38)。
  [HT8113-0062-0004] 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明涉及一种氮化物半导体器件及其制造方法。具有在异质衬底上生长氮化物半导体层的工序、此后把支持衬底粘合到氮化物半导体层上的工序以及除去异质衬底的工序。上述粘合工序通过合金共晶而形成导电层。上述异质衬底的除去工序通过激光照射、研磨、化学抛光来进行。在上述异质衬底的除去工序后，具有通过对氮化物半导体的露出表面进行蚀刻、把氮化物半导体分离成芯片状的工序。在上述异质衬底的除去工序后，具有在氮化物半导体的露出表面上形成凹凸的工序。
  [HT8113-0126-0005] 用低能量等离子体增强化学气相沉积法形成高迁移率硅锗结构
[摘要] 半导体的制造方法的步骤包括：采用一种高密度低能量等离子体增强化学气相沉积(LEPECVD)方法：生长速度为2nm/秒以上，基片温度为400℃至850℃和在气体入口处的活性气体总流量为5sccm至200sccm，以分级Si_1-xGe_x层与一非分级Si_1-xGe_x层在一硅基片上形成一虚拟基片；采用一低密度低能量等离子体增强化学气相沉积(LEPECVD)方法：使氢(H₂)注入生长室，基片温度保持在400℃与500℃之间和以脉冲方式使一掺杂气体注入生长室，以提供调制掺杂层，在一包含Ge沟与至少一调制掺杂层的虚拟基片上形成一激活区。
  [HT8113-0082-0006] 半导体器件及其制造方法
[摘要] 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成半导体膜；用第一脉冲线性激光第一次照射所述半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动衬底；用第二脉冲线性激光第二次照射半导体膜，同时在垂直于所述激光的纵向的方向移动所述衬底；利用所述半导体膜形成多个含有有源区的薄膜晶体管，每个有源区包括源区、漏区和在源区与漏区之间的沟道区；所述第一和第二次照射的步骤以每个激光脉冲的照射区域部分地被下一个激光脉冲覆盖的方式进行；和每个上述有源区以使所述源区和漏区连成的直线平行于所述第一和第二脉冲线性激光的纵向的方式形成。根据本发明，能极大地抑制各半导体器件特性的分散。
  [HT8113-0215-0007] I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方...
[摘要] 一种III族氮化物半导体晶体的制造方法，包括在含有氮源和没有金属材料的气氛中在衬底表面上淀积III族金属微粒的步骤，在已淀积微粒的衬底表面上生长III族氮化物半导体晶体的步骤。
  [HT8113-0194-0008] 固体摄像器件及其控制方法
[摘要] 本发明涉及固体摄像器件及其控制方法，该固体摄像器件具有：在半导体基板的表面上受到来自外部的光产生信息电荷的摄像部；和具有在半导体基板的表面上配置的多个传送电极(24-1)～(24-3)，外部的光不会入射地被遮光的蓄积部。并且用传送电极(24-1)～(24-3)传送信息电荷。其特征在于：具有在传送电极(24-1)～(24-3)的附近下方嵌入形成的二极管(26)。从而可不降低固体摄像器件的敏感度和饱和输出的同时，抑制暗电流的产生。另外，可降低用固体摄像器件摄像所获得的信息电荷上的噪声。
  [HT8113-0196-0009] 半导体显示器件
[摘要] 本发明的目的是提供一种利用更有效地防止电介质击穿的保护电路的半导体显示器件。在本发明中，在形成覆盖用作保护电路的TFT的第一层间绝缘膜和形成覆盖在该第一层间绝缘膜之上形成的布线的作为绝缘覆盖膜的第二层间绝缘膜的情况下，用于将TFT连接到其它半导体元件的布线形成为与该第二层间绝缘膜的表面接触，以确保释放在该第二层间绝缘膜的表面中累积的电荷的路径。注意：用作保护二极管的TFT称为二极管式连接的TFT，其中第一端子或第二端子之一连接到栅电极。
  [HT8113-0187-0010] 半导体器件
[摘要] 在由电流镜像电路驱动的光电转换器件中，电流镜像电路是由4个晶体管组成，例如，第一和第二PMOS晶体管和第一和第二NMOS晶体管。配置了一个阴极连到第二PMOS晶体管的漏极上并接收反向偏压的光电二极管。在光电二极管中产生的电子能阻止与光电二极管相连的节点的电势的上升以便即使在光照射时能正常驱动光电转换器件。
  [HT8113-0211-0011] 多层压电元件和振动波驱动设备
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