公开了一种用于生产模压铁氧体用的颗粒的组合物，它包含一种铁氧体浆料，该浆料至少含有铁氧体原料粉；改性乙烯量为4－10摩尔％、平均聚合度为500－1700、平均皂化度为90.0－99.5摩尔％的乙烯改性聚乙烯醇；和与其混合的水，还公开了由所述组合物生产的铁氧体颗粒，由所述颗粒生产的铁氧体生坯和由所述烧结体生产的铁氧体烧结体。
  [HT7967-0213-0004] 集成在微电子电路内的线圈和线圈系统及微电子电路
[摘要] 本发明涉及集成在微电子电路(10)内的线圈(20)和线圈系统，以及相应的微电子电路(10)。本发明的线圈(20)布置在芯片(11)的氧化物层(13)内，从而氧化物层(13)布置在基片(12)的基片表面(14)上。线圈(20)包括一个或多个匝(21)，匝(21)由至少两个导体轨迹(22，23)的段和链接这些轨迹(22)和/或轨迹段(23)的通路连接(40)构成，这些段分别在空间上不相连的金属化平面(24，25)上提供。为了制造高质量线圈(20)，尽量使线圈(20)的横截面(27)大，从而，标准的金属化，特别是使用铜的金属化可以用来制造线圈(20)。为达此目的，通路触点(40)由相互叠加的两个或多个通路元件(42)的叠层(41)形成。金属化平面的组成部分(43)可以位于通路元件(42)之间。
  [HT7967-0015-0005] 叠层陶瓷电子元件的制造方法和叠层陶瓷电子元件
[摘要] 在叠置工作台上制备第一和第二转移件，以制成叠层陶瓷电子元件。第一转移件包括：装有导体的复合生片，在其部分表面上有导体，并且包括磁性和非磁性陶瓷区；和支承装有导体的复合生片的第一载体膜。第二转移件包括陶瓷生片和支承陶瓷生片的载体膜。通过顺序转移陶瓷生片的第一转移步骤，转移装有导体的复合生片的第二转移步骤，以及转移第二转移件中的陶瓷生片的第三转移步骤，制成叠层陶瓷电子元件。在烧结陶瓷体中制成高精度的所需导体和结构，简化了工艺步骤，降低了叠层陶瓷电子元件的生产成本。
  [HT7967-0133-0006] 高性能双相稀土永磁材料及其制备方法
[摘要] 本发明公开了一种高性能双相稀土永磁材料及其制备方法。本发明的稀土永磁材料中，含6.2～12.0at％的稀土元素，0.5～4.5at％的氮元素，2.5～6.0at％的以B为主的类金属元素，其余为以Fe为主的过渡族金属。首先，采用真空熔炼法制备合金；然后，采用快淬法或机械合金化法，结合适当的热处理工艺，制备合金粉末；最后，采用粘结、冷压、热压法或温变形制备合金磁体。本发明所得磁粉及磁体具有较好的综合永磁性能，更高的工作温度或较好的抗腐蚀能力，所需的稀土元素含量少。本发明的磁体制备方法，设备与工艺较简单。
  [HT7967-0047-0007] 无磁芯超薄PCB式变压器和利用该变压器的电池充电器
[摘要] 通过不利用磁芯将绕组安装在通用的PCB(印刷电路板)上制造超薄PCB式变压器。利用该PCB式变压器的无触点式电池充电器包括：一转换器，用于将电源电压转换为高频方波，然后将已转换的高频方波施加到PCB式变压器的一次绕组；以及一充电器，用于将电动势转换为直流电压，再将已转换的直流电压施加到所述充电电路，由在PCB式变压器的一次绕组引起的方波产生的磁场波动在PCB式变压器的二次绕组中感应该电动势。该无触点式电池充电器可应用于便携式信息通信和计算装置，例如移动电话、个人数字助理装置(PDA)、掌上计算机、因特网电话等。
  [HT7967-0195-0008] 低温烧结甚高频叠层片式电感、片式磁珠材料及其制备方法
[摘要] 本发明公开了属于电感材料制备技术领域中的一种低温烧结甚高频叠层片式电感、片式磁珠材料及其制备方法。以Fe₂O₃、BaCO₃、SrCO₃、PbO、Co₃O₄、ZnO、CuO为主原料制备的BaSrPbZnCoCu平面六角铁氧体与以辅料Bi₂O₃+Al₂O₃+PbO+B₂O₃+SiO₂+CaF₂+LiF为复合低烧助烧剂，按一定重量百分比混合低温烧结成甚高频片式电感及片式磁珠材料。本发明实现了低温烧结，材料烧结性能好，致密度高、晶粒尺寸均匀。材料的磁导率在2-40，截止频率800MHz至1.8GHz以上，比温度变化率不大于10^-6/℃，电阻率大于10⁹Ω·cm，完全满足甚高频片式电感及磁珠材料的要求。本发明提出的材料配方及其制备工艺，低温烧结性能稳定，再现性好，具有广泛的应用前景和巨大的经济效益。
  [HT7967-0064-0009] 在准微波段具有最大复导磁率的磁物质及其生产方法
[摘要] 提供了一种在准微波范围有复导磁率最大值的磁物质，用于压制小型电子装置中的高频噪声。该磁物质是由包含M、X和Y的磁合成物构成的，这里M是包含Fe、Co和/或Ni的金属磁性材料，X是不同于M和Y的一种或多种元素，Y是F、N和/或O。M－X－Y磁合成物中M的浓度使得所述M－X－Y磁合成物的饱和磁化强度为只含有M的金属磁性材料体的饱和磁化强度的35－80％。该磁合成物在频率0.1－10千兆赫(GHz)范围内有复导磁率μ″的最大值μ″_max。
  [HT7967-0018-0010] 具有位于磁隙附近的永久磁铁的电感线圈元件
[摘要] 提出了一种电感线圈元件，其包括具有至少一个间隙的磁芯，设置在磁芯上以在磁芯上形成磁路的激励线圈，以及设置在至少一个间隙附近的永久磁铁。在这种电感线圈元件中，永久磁铁设置在由软磁材料形成的第一软磁材料块上，软磁材料的磁导率和涡流损耗比磁芯小。这种电感线圈元件对于所放置的永久磁铁的形状无限制，能抑制由于绕在磁芯上的线圈的磁通量而使永久磁铁产生的热量，而且其性能不会降低。
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