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| 电阻器,芯片电阻器,压敏电阻器,陶瓷电阻器类技术资料 |
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[HT7962-0025-0001] 瞬态过电压保护元件结构 |
一种ZnO非线性电阻的制备方法,涉及制备半导体陶瓷材料的工艺和技术,特别提供了ZnO非线性电阻的粉体—成型—烧结的工艺和技术。它是在微准兜腪nO粉体中加入部分人工合成的纳米级ZnO粉体,再加入多种金属氧化物(如Bi2O3、Sb2O3、Co2O3、MnO2、Cr2O3等),利用高压脉冲电场产生的高压力压制成高密度素坯;而后采用先等离子体升温烧结至一定温度,再用微波升温烧结至一定温度,再降温至一定温度又用等离子体升温烧结而成。由于本发明不全部使用微米级的ZnO粉体,而是加入部分人工合成的ZnO纳米粉体,烧结又采用等离子体—微波—等离子体的烧结工艺,故可以制备出高密度、高强度、高韧性、非线性特性优异、成品率高的ZnO非线性电阻,而且生产周期短、能耗低、无环境污染。 |
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技[HT7962-0161-0077] 芯片电阻器及其制造方法 |
C [HT7962-0152-0097] 高压用可变电阻器 |
5 [HT7962-0098-0117] 金属电阻器装置及其制造方法 |
[HT7962-0155-0137] 电阻元件及其制造方法 |
[HT7962-0057-0157] 半导体陶瓷组合物和使用该组合物的半导体陶瓷元件 |
[HT7962-0148-0177] 芯片电阻器 |
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