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[HT7961-0021-0001] ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法 [摘要] 本发明公开了一种ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻的制备方法,包括:在ZnO溶胶中,掺杂铋离子Bi3+、锑离子Sb3+、锰离子Mn2+、铬离子Cr3+和钴离子Co3+,其摩尔比为:Zn2+∶Bi3+∶Sb3+∶Mn2+∶Cr3+∶Co3+=100∶(0.6~1.4)∶(1.6~3.0)∶(0.2~1.0)∶(0.5~3.0)∶(1.0~3.0);取上述60~80%的溶胶烘干后,升温至550℃~650℃,使有机物分解,得到ZnO晶体,再碾磨制备成ZnO纳米粉体,其粒径在30nm~70nm;在上述ZnO粉体中加入分散剂,经混合后,加入到剩余的溶胶中;在单晶硅基片上,制备ZnO陶瓷薄膜低压压敏电阻。本发明制备的ZnO低压压敏电阻具有优良电性能,其压敏电压低于4V,非线性系数可达22,漏电流密度小于0.4μA/mm2。
[HT7961-0056-0002] BaPbO3/(Ba1-x-y [摘要] 本发明公开了一种BaPbO3/(Ba1-x-ySrxPby)TiO3基PTC热敏电阻及制备方法,属于功能陶瓷及其元器件技术。该PTC热敏电阻的成分及摩尔百分含量为:(Ba1-x-ySrxPby)TiO3:(96.5~99.8)%,其中x=0.00~0.35,y=0.00~0.56;BaPbO3:(0.1~3.5)%;制备过程:原料经烘干,按(Ba1-x-ySrxPby)TiO3陶瓷粉的质量百分含量,称取(Ba1-x-ySrxPby)TiO3、Y2O3和Nb2O5,经球磨及烘干,烘干的粉料于坩锅在1000~1100℃合成,在合成料中加入MnO2、Al2O3、SiO2、TiO2、Pb3O4和BaCO3,再球磨和烘干后加入聚乙烯醇水溶液造粒,造粒料过筛及压力压制成型,排胶后在1080~1280℃烧制0.5~4h,在烧成的瓷件上烧渗欧姆电极。本发明的BaPbO3/(Ba1-x-ySrxPby)TiO3基PTC热敏电阻的优点在于,与现有(Ba1-x-ySrxPby)TiO3基PTC热敏电阻相比,该热敏电阻的室温电阻率明显降低,试样有相当数量级的升阻比。
[HT7961-0088-0003] 高电流馈通装置 |